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通路電阻低和電壓門信號(hào)低

發(fā)布時(shí)間:2020/7/23 23:24:40 訪問次數(shù):596

TD340芯片是N溝道功率MOS管驅(qū)動(dòng)器,適合于直流電機(jī)控制。用TD340進(jìn)行模擬輸入的控制電路。給出了TD340的輸入電壓與輸出PWM間的特性曲線(接地電容用于設(shè)定PWM頻率)。該器件內(nèi)集成有可驅(qū)動(dòng)N溝道高邊功率MOS管的電荷泵和內(nèi)部PWM發(fā)生器,可進(jìn)行速度和方向控制而且功耗很低,同時(shí)具有過壓(>20V)、欠壓(<6.2V)保護(hù)功能,以及反向電源有源保護(hù)功能。TD340內(nèi)含可調(diào)的頻率開關(guān)(0~25kHz)及待機(jī)模式,且集成有看門狗和復(fù)位電路。除此之外,TD340芯片還具有H橋直流電機(jī)部分和微控制器之間的必要接口。直流電機(jī)的速度和方向可由外界輸入給TD340的信號(hào)來控制。其中速度由PWM來控制,當(dāng)然?也可以接受外部的PWM信號(hào)。當(dāng)TD340的CF端通過電容接地時(shí),0~5V的模擬輸入即可產(chǎn)生PWM輸出。實(shí)際上,當(dāng)CF端直接接地時(shí),輸入TD340的數(shù)字信號(hào)就可直接產(chǎn)生PWM信號(hào)。

TD340的引腳功能和控制特性

TD340采用雙列貼片式封裝的引腳分布,各引腳的功能如下:

L1、L2:低邊門極驅(qū)動(dòng);

H1、H2;高邊門極驅(qū)動(dòng);

STBY:待機(jī)模式;

WD:看門狗信號(hào)輸入;

CWD:設(shè)置看門狗電容端;

VOUT:用于微處理器的5V電壓;

  CF:設(shè)置PWM頻率的外部電容接入端;

IN1;模擬或數(shù)字信號(hào)輸入端;

IN2:電機(jī)旋轉(zhuǎn)方向控制端;

VBATT、GND:電源正端和地端。

直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)框圖。該系統(tǒng)由信號(hào)輸入電路、TD340和H橋電路組成。其中信號(hào)輸入電路由可調(diào)電阻和單刀雙擲開關(guān)組成,TD340用于構(gòu)成PWM發(fā)生器,功率放大電路是由4個(gè)MOSFET管組成的H橋電路。

直流電機(jī)PWM調(diào)速系統(tǒng)的電路原理圖,圖中的MOSFET管采用STP30NE03L。STP30NE03L的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度快,通路電阻低和電壓門信號(hào)低,適合于大電流和低電壓運(yùn)行。當(dāng)加上一個(gè)足夠的門信號(hào)電壓時(shí),功率MOSFET的通路電阻小于常規(guī)二極管?而在沒有門信號(hào)電壓的情況下,它具有常規(guī)二極管的反向特性。開關(guān)K用于控制直流電機(jī)M的正反轉(zhuǎn)。開關(guān)向上時(shí),電機(jī)正轉(zhuǎn);開關(guān)向下時(shí),電機(jī)反轉(zhuǎn)。可調(diào)電阻R1用于調(diào)節(jié)TD340的模擬電壓輸入值,進(jìn)而輸出可調(diào)PWM信號(hào),同時(shí)給MOSFET的門極施加開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)并通過調(diào)節(jié)占空比的大小來調(diào)節(jié)直流電機(jī)M的轉(zhuǎn)速。電阻R1~R4用于控制MOS門的升降時(shí)間,也有利于避免門電壓的振蕩,門電壓的振蕩通常是與門電容處的連接線的平行電感所引起的。R1~R4的值通常為10~100Ω。電容C6用于存儲(chǔ)能量并對(duì)通過電橋的電壓進(jìn)行濾波。在電壓上升和下降期間,為了保證系統(tǒng)的可靠性,可在兩個(gè)低端MOS管的門極各接一個(gè)下拉電阻以確保電橋保持關(guān)斷,但高端MOS管不能接下拉電阻,因?yàn)殡姾杀貌荒転槠涮峁┍匾碾娏鳌?

集成10/100M以太網(wǎng),CAN2.0B控制器,USB1.1控制器;

*為Rx & Tx內(nèi)建2KB FIFO,支持3個(gè)以上MAC地址,支持MAC暫停;

*完全支持CAN2.0B協(xié)議,信息濾除支持DeviceNet和CanOpen協(xié)議;

*5端點(diǎn)控制器,支持全速通用串行總線(12Mb/s)。

8通道10位ADC,多功能定時(shí)器陣列(MFTA),全特生內(nèi)存接口單元;

*8路模擬通道,10位內(nèi)部采樣保持A/D轉(zhuǎn)換器,轉(zhuǎn)換周期5μs(200kHz采樣頻率),外部邊沿觸發(fā)或SW命令觸發(fā)轉(zhuǎn)換,可編程掃描序列發(fā)生器;

*4個(gè)獨(dú)立的升降定時(shí)器,定時(shí)器可由CSL異步復(fù)位和計(jì)時(shí);

*支持外部Flash、SDRAM內(nèi)存子系統(tǒng),SDRAM自動(dòng)支持自我刷新、自動(dòng)刷新和初始化。

嵌入式SRAM基礎(chǔ)的可配置系統(tǒng)邏輯(CSL)矩陣;

*超過3800個(gè)觸發(fā)器和300個(gè)可編程輸入輸出(PIOs);

*針對(duì)快速加法器、乘法器、計(jì)數(shù)器的專門電路;

*支持標(biāo)準(zhǔn)邏輯設(shè)計(jì)工具,VHDL/Verilog綜合和仿真,原理圖輸入。

高效專用系統(tǒng)總線:

*可配置系統(tǒng)互連(CSI)總線結(jié)合CSL矩陣和SoC系統(tǒng);

*300MB/s的尖峰傳遞率,32位地址、數(shù)據(jù)總線,支持可編程等待狀態(tài);

*公開定義與CSL矩陣接口的CSL插口總線,12個(gè)總線管理器和內(nèi)建仲裁器。

(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

http://ytf02.51dzw.com


TD340芯片是N溝道功率MOS管驅(qū)動(dòng)器,適合于直流電機(jī)控制。用TD340進(jìn)行模擬輸入的控制電路。給出了TD340的輸入電壓與輸出PWM間的特性曲線(接地電容用于設(shè)定PWM頻率)。該器件內(nèi)集成有可驅(qū)動(dòng)N溝道高邊功率MOS管的電荷泵和內(nèi)部PWM發(fā)生器,可進(jìn)行速度和方向控制而且功耗很低,同時(shí)具有過壓(>20V)、欠壓(<6.2V)保護(hù)功能,以及反向電源有源保護(hù)功能。TD340內(nèi)含可調(diào)的頻率開關(guān)(0~25kHz)及待機(jī)模式,且集成有看門狗和復(fù)位電路。除此之外,TD340芯片還具有H橋直流電機(jī)部分和微控制器之間的必要接口。直流電機(jī)的速度和方向可由外界輸入給TD340的信號(hào)來控制。其中速度由PWM來控制,當(dāng)然?也可以接受外部的PWM信號(hào)。當(dāng)TD340的CF端通過電容接地時(shí),0~5V的模擬輸入即可產(chǎn)生PWM輸出。實(shí)際上,當(dāng)CF端直接接地時(shí),輸入TD340的數(shù)字信號(hào)就可直接產(chǎn)生PWM信號(hào)。

TD340的引腳功能和控制特性

TD340采用雙列貼片式封裝的引腳分布,各引腳的功能如下:

L1、L2:低邊門極驅(qū)動(dòng);

H1、H2;高邊門極驅(qū)動(dòng);

STBY:待機(jī)模式;

WD:看門狗信號(hào)輸入;

CWD:設(shè)置看門狗電容端;

VOUT:用于微處理器的5V電壓;

  CF:設(shè)置PWM頻率的外部電容接入端;

IN1;模擬或數(shù)字信號(hào)輸入端;

IN2:電機(jī)旋轉(zhuǎn)方向控制端;

VBATT、GND:電源正端和地端。

直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)框圖。該系統(tǒng)由信號(hào)輸入電路、TD340和H橋電路組成。其中信號(hào)輸入電路由可調(diào)電阻和單刀雙擲開關(guān)組成,TD340用于構(gòu)成PWM發(fā)生器,功率放大電路是由4個(gè)MOSFET管組成的H橋電路。

直流電機(jī)PWM調(diào)速系統(tǒng)的電路原理圖,圖中的MOSFET管采用STP30NE03L。STP30NE03L的優(yōu)點(diǎn)是開關(guān)速度快,通路電阻低和電壓門信號(hào)低,適合于大電流和低電壓運(yùn)行。當(dāng)加上一個(gè)足夠的門信號(hào)電壓時(shí),功率MOSFET的通路電阻小于常規(guī)二極管?而在沒有門信號(hào)電壓的情況下,它具有常規(guī)二極管的反向特性。開關(guān)K用于控制直流電機(jī)M的正反轉(zhuǎn)。開關(guān)向上時(shí),電機(jī)正轉(zhuǎn);開關(guān)向下時(shí),電機(jī)反轉(zhuǎn)。可調(diào)電阻R1用于調(diào)節(jié)TD340的模擬電壓輸入值,進(jìn)而輸出可調(diào)PWM信號(hào),同時(shí)給MOSFET的門極施加開關(guān)驅(qū)動(dòng)信號(hào)并通過調(diào)節(jié)占空比的大小來調(diào)節(jié)直流電機(jī)M的轉(zhuǎn)速。電阻R1~R4用于控制MOS門的升降時(shí)間,也有利于避免門電壓的振蕩,門電壓的振蕩通常是與門電容處的連接線的平行電感所引起的。R1~R4的值通常為10~100Ω。電容C6用于存儲(chǔ)能量并對(duì)通過電橋的電壓進(jìn)行濾波。在電壓上升和下降期間,為了保證系統(tǒng)的可靠性,可在兩個(gè)低端MOS管的門極各接一個(gè)下拉電阻以確保電橋保持關(guān)斷,但高端MOS管不能接下拉電阻,因?yàn)殡姾杀貌荒転槠涮峁┍匾碾娏鳌?

集成10/100M以太網(wǎng),CAN2.0B控制器,USB1.1控制器;

*為Rx & Tx內(nèi)建2KB FIFO,支持3個(gè)以上MAC地址,支持MAC暫停;

*完全支持CAN2.0B協(xié)議,信息濾除支持DeviceNet和CanOpen協(xié)議;

*5端點(diǎn)控制器,支持全速通用串行總線(12Mb/s)。

8通道10位ADC,多功能定時(shí)器陣列(MFTA),全特生內(nèi)存接口單元;

*8路模擬通道,10位內(nèi)部采樣保持A/D轉(zhuǎn)換器,轉(zhuǎn)換周期5μs(200kHz采樣頻率),外部邊沿觸發(fā)或SW命令觸發(fā)轉(zhuǎn)換,可編程掃描序列發(fā)生器;

*4個(gè)獨(dú)立的升降定時(shí)器,定時(shí)器可由CSL異步復(fù)位和計(jì)時(shí);

*支持外部Flash、SDRAM內(nèi)存子系統(tǒng),SDRAM自動(dòng)支持自我刷新、自動(dòng)刷新和初始化。

嵌入式SRAM基礎(chǔ)的可配置系統(tǒng)邏輯(CSL)矩陣;

*超過3800個(gè)觸發(fā)器和300個(gè)可編程輸入輸出(PIOs);

*針對(duì)快速加法器、乘法器、計(jì)數(shù)器的專門電路;

*支持標(biāo)準(zhǔn)邏輯設(shè)計(jì)工具,VHDL/Verilog綜合和仿真,原理圖輸入。

高效專用系統(tǒng)總線:

*可配置系統(tǒng)互連(CSI)總線結(jié)合CSL矩陣和SoC系統(tǒng);

*300MB/s的尖峰傳遞率,32位地址、數(shù)據(jù)總線,支持可編程等待狀態(tài);

*公開定義與CSL矩陣接口的CSL插口總線,12個(gè)總線管理器和內(nèi)建仲裁器。

(素材來源:21ic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)

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