控制場(chǎng)效應(yīng)管和同步場(chǎng)效應(yīng)管

發(fā)布時(shí)間:2020/7/24 22:37:42 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1273

如果輸出電壓等于或者低于參考值減去滯環(huán)寬度的一半(VL=1.975V)時(shí)，控制器就斷開(kāi)低端的MOSFET開(kāi)通高端的MOSFET。這是功率級(jí)的開(kāi)狀態(tài)，因?yàn)樗鼤?huì)引起輸出電壓的上升。如果輸出電壓達(dá)到或者超過(guò)參考值加上滯環(huán)寬度的一半(VH=2.025V)時(shí)，控制器就斷開(kāi)高端的MOSFET并開(kāi)通低端的MOSFET。這是功率級(jí)的關(guān)狀態(tài)，因?yàn)樗鼤?huì)引起輸出電壓的下降。滯環(huán)控制的方法能保持輸出電壓在參考電壓周?chē)鷾h(huán)寬度的范圍內(nèi)。當(dāng)輸出負(fù)載電流增大或輸入電壓瞬態(tài)變化而使得輸出電壓偏離到滯環(huán)寬度以外，控制器將連續(xù)不斷地開(kāi)通或關(guān)斷功率MOSFET，使輸出電壓返回到滯環(huán)的范圍內(nèi)，在輸出濾波允許的條件下將以最快的速度對(duì)輸出電壓進(jìn)行矯正。

芯片組都包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET，而每個(gè)器件都經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，在同步DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器電路中發(fā)揮最佳性能�？刂芃OSFET具有更低的開(kāi)關(guān)損耗，同步MOSFET的傳導(dǎo)損耗更低（低導(dǎo)通電阻），逆向恢復(fù)電荷也很低。

芯片組包含IRF6617控制場(chǎng)效應(yīng)管和IRF6611同步場(chǎng)效應(yīng)管，能在高密度、空間有限的電路板中達(dá)到最佳的性能，每個(gè)功率通道可達(dá)20A。另一款芯片組則包含IRF6637控制場(chǎng)效應(yīng)管和IRF6678同步場(chǎng)效應(yīng)管，適用于每個(gè)功率通道高于20A的應(yīng)用，可有效提升熱性能。

IRF6617控制場(chǎng)效應(yīng)管采用小罐（ST）DirectFET封裝，IRF6637控制場(chǎng)效應(yīng)管則采用中罐（MP）DirectFET封裝。為了方便修改現(xiàn)有設(shè)計(jì)，兩款同步場(chǎng)效應(yīng)管都采用中罐（MX）DirectFET封裝，可以輕松地將IRF6611替換為IRF6678，滿(mǎn)足更大電流和散熱性能的需求。

有助于電路設(shè)計(jì)人員縮減高頻、大電流DC-DC轉(zhuǎn)換器的體積。這些轉(zhuǎn)換器適用于高檔電腦和服務(wù)器，以及先進(jìn)的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)。

IR的DirectFET MOSFET封裝已經(jīng)獲得了專(zhuān)利，其中匯集了一系列標(biāo)準(zhǔn)塑料分立封裝不具備的設(shè)計(jì)優(yōu)點(diǎn)。金屬腔構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，把用以驅(qū)動(dòng)先進(jìn)微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理效率增加一倍。此外，采用DirectFET封裝的器件均不含鉛和溴化物。

外部 MOSFET 的 RDS(ON) 檢測(cè)負(fù)載電流的電子斷路器 LTC4213，從而去除了對(duì)檢測(cè)電阻的需求。這種新方法不僅降低了開(kāi)關(guān)通路上的電壓和功率損耗，而且降低了成本并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。這尤其有利于低電壓系統(tǒng)，因?yàn)闄z測(cè)電阻電壓降占去了極大部分電源電壓。就超低電壓應(yīng)用而言，LTC4213 工作在 2.3V 至 6V 的偏置電源電壓范圍，并監(jiān)視從地到 6V 的電壓。

電子斷路器提供 3 個(gè)引腳可選的 VDS 門(mén)限，分別為 25mV、50mV 和 100mV。所選擇的引腳可以動(dòng)態(tài)步進(jìn)，從而在啟動(dòng)時(shí)允許更高斷路器門(mén)限，并在電源電流穩(wěn)定后降低門(mén)限。該斷路器還通過(guò)集成快慢比較器，提供用于過(guò)流保護(hù)的雙電平和雙響應(yīng)時(shí)間功能。這樣一來(lái)，通過(guò)區(qū)分輕微過(guò)流故障或?yàn)?zāi)難性的短路狀態(tài)，進(jìn)一步提高了斷路器的性能。

LTC4213 的精確性能使其非常適用于需要連續(xù)低壓電源保護(hù)的系統(tǒng)。LTC4213 采用 12 引線(xiàn) DFN 封裝，規(guī)定工作于商用和工業(yè)溫度范圍，以 1,000 片為單位批量購(gòu)買(mǎi)，每片起價(jià)為 1.50 美元。

性能概要：LTC4213

無(wú)需檢測(cè)電阻

把負(fù)載電壓控制在 0V 至 6V

響應(yīng)時(shí)間為 1us 的快速斷路器

3個(gè)可選斷路器門(mén)限

雙電平過(guò)流保護(hù)

用于外部 N 溝道 FET 的高端驅(qū)動(dòng)

欠壓閉鎖

斷路器待命中斷時(shí) READY 引腳發(fā)出信號(hào)

小型塑料（3mm×2mm）DFN 封裝