這款升降壓IC集成了很多外部器件，是TI首個完全集成功率MOSFET、充電路徑管理FET、輸入電流和充電電流檢測電路和雙輸入選擇驅(qū)動器這些組件的器件。相較于傳統(tǒng)的升降壓IC的控制器，它的整體應(yīng)用面積也會更小一些。例如，在30W場景下對電池進行充電，這顆芯片可以達到97%的效率，在整個充電過程中，幾乎不會感受到它的發(fā)熱。伴隨著高功率密度，在充電的過程中可以提供50%甚至更高的能量。此外，這顆器件還有低 IQ的設(shè)計，它的靜態(tài)功耗只有1µA。在一年的存儲狀態(tài)下，器件的電量損耗大概在0.05%。

高集成度可以讓開發(fā)者在使用時節(jié)省整體開發(fā)的時間，同時，TI提供了更多的設(shè)計參考文件在官網(wǎng)上，能夠幫助開發(fā)者盡快進行終端產(chǎn)品設(shè)計。

BQ25790/2的應(yīng)用除了在智能手機、平板電腦等個人電子產(chǎn)品之外，也適合工業(yè)類應(yīng)用，如醫(yī)療類產(chǎn)品，這些產(chǎn)品需要更大的功率的器件，USB Type-C、USB PD接口可以讓醫(yī)療產(chǎn)品享受到更快速以及溫度更低的充電體驗，且不需要專門的適配器。

高電流、小尺寸、隔離，TI新品各具特色

TPS546D24A是一款針對大電流、FPGA或處理器設(shè)計的產(chǎn)品，亮點是，它本身是可以堆疊的DC/DC轉(zhuǎn)換器，單顆產(chǎn)品可以支持40A電流，當堆疊4顆時可以支持最高160A電流。其尺寸非常小，采用5 mm×7mm 方形扁平無引線（QFN）封裝。同時開關(guān)頻率高達1.5M，可以支持非常大的電流，在非常小的面積下，提高產(chǎn)品本身的效率。

TPS546D24A除了能夠?qū)崿F(xiàn)在設(shè)計上減少其他的外部元件，還能夠減少最多達6個外部的補償元件；由于它擁有了TI特別的QFN封裝，使得熱損耗更小，相比競品在同等情況下，熱損耗低13℃；這顆產(chǎn)品擁有非常小的導通電阻，整體設(shè)計上比其他業(yè)界同款產(chǎn)品效率提高3.5%；同時支持非常低的電壓輸出，輸出電壓誤差小于1%，具有管腳復用可配置性，在非常高的精確度下，能夠為產(chǎn)品提供更準確的設(shè)計。

TI的這款雙向轉(zhuǎn)換器能夠支持900V，而且沒有外圍冷卻風扇的情況下，峰值效率可以高達99.2%。該方案具有拓展性，是堆疊性的，它的功率密度能比傳統(tǒng)的IGBT方案高出3倍左右。TI解決方案，包括C2000數(shù)字控制器產(chǎn)品，能夠幫助客戶實現(xiàn)完整的解決方案的設(shè)計。 以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導體材料及相關(guān)器件芯片已成為全球高技術(shù)領(lǐng)域競爭戰(zhàn)略制高爭奪點。GaN具有獨特的異質(zhì)結(jié)電子結(jié)構(gòu)和二維電子氣，在此基礎(chǔ)上研制的高電子遷移率晶體管(HEMT)是一種平面型器件，可以實現(xiàn)低導通電阻、高開關(guān)速度的優(yōu)良特性。

將Dialog可擴展且高度靈活的GreenPAK技術(shù)結(jié)合到TDK的小尺寸高密度的電源模塊解決方案中，減少了所需的元件數(shù)量，實現(xiàn)更緊湊、更可靠、更強大的電源解決方案，助力先進的工業(yè)嵌入式控制、IoT和5G應(yīng)用。

Dialog的GreenPAK技術(shù)將產(chǎn)品生產(chǎn)周期縮短至僅4至6星期，支持大批量生產(chǎn)，并且加速了復雜系統(tǒng)電路板的開發(fā)周期。µPOL解決方案采用了先進的封裝技術(shù)，如芯片內(nèi)置基板封裝（SESUB），使聚合的三維系統(tǒng)集成在更小尺寸和更薄的封裝中。該合作有助于TDK提供相比市場現(xiàn)有方案具有更高功率密度和易用性的解決方案，并且整體系統(tǒng)成本也更低。例如，TDK的FS1406 6A電源模塊能以3.3mm x 3.3mm x 1.5mm尺寸提供15W功率，其電流密度比最接近的競爭方案高4倍。

TI 150mΩ、70mΩ和50mΩ GaN FETs的完整產(chǎn)品組合已經(jīng)進入批量生產(chǎn)階段，最近TI也發(fā)表了其自主研發(fā)的一個對流冷卻，能夠提供900V、5kW雙向AC/DC平臺的產(chǎn)品，進一步擴展GaN 在汽車、并網(wǎng)存儲和太陽能等領(lǐng)域的新應(yīng)用。

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