正弦函數(shù)和余弦函數(shù)低壓差穩(wěn)壓器

發(fā)布時間:2020/8/4 23:31:32 訪問次數(shù):1753

華為新款麒麟旗艦處理器都會在每年秋季推出。蘋果 A14 處理器和麒麟 1020 處理器將是首批使用 5nm 工藝的旗艦芯片。

5nm 新麒麟芯片的成本介于蘋果 A14 與 Apple ARM CPU 之間。這款麒麟芯片的大小也在后兩者之間。

華為麒麟 1020 預(yù)計將采用 ARM Cortex-A78 架構(gòu)。得益于 5nm 工藝，麒麟 1020 每平方毫米可容納 1.713 億個晶體管，其性能較麒麟 990 提升 50%。

rpmh制造商: ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類: 低壓差穩(wěn)壓器

RoHS: 詳細(xì)信息

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: HTSOP-J-8

輸出電壓: 3.3 V

輸出電流: 1 A

輸出端數(shù)量: 1 Output

最大輸入電壓: 5.5 V

最小輸入電壓: 2.4 V

輸出類型: Fixed

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 105 C

回動電壓: 400 mV

資格: AEC-Q100

系列: BD33IC0MEFJ

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

產(chǎn)品: LDO Voltage Regulators

類型: Automotive LDO Regulator

商標(biāo): ROHM Semiconductor

回動電壓—最大值: 600 mV

輸出電壓范圍: -

Ib - 輸入偏流: 250 uA

線路調(diào)整率: 25 mV

負(fù)載調(diào)節(jié): 25 mV

Pd-功率耗散: 2.11 W

產(chǎn)品類型: LDO Voltage Regulators

工廠包裝數(shù)量: 2500

子類別: PMIC - Power Management ICs

零件號別名: BD33IC0MEFJ-M

單位重量: 54 mg

Radix-4蝶形運算單元是整個FFT處理器中的核心部件。在用Radix-4運算器計算時需要并行輸入數(shù)據(jù)，如果能以并發(fā)數(shù)據(jù)輸入的話，則同步性和控制度較好，但實際上常要進(jìn)行串并之間的轉(zhuǎn)換。存儲RAM按單節(jié)拍輸出16 b位寬數(shù)據(jù)，選擇器不停旋轉(zhuǎn)送入到確定的位置，每4點全部到位后R-4使能有效;然后4個時鐘節(jié)拍得到有效結(jié)果數(shù)據(jù)，再通過選擇器旋轉(zhuǎn)送入到對應(yīng)存儲 RAM中。

復(fù)數(shù)運算中，對應(yīng)復(fù)數(shù)的實部和虛部RAM用同一個地址發(fā)生器。地址發(fā)生器在進(jìn)行RAM地址發(fā)生時采用兩套地址，第一套是計數(shù)器按時鐘節(jié)拍順序產(chǎn)生的，用于輸入數(shù)據(jù)的存儲;第二套是由數(shù)據(jù)寬度為16 b的ROM產(chǎn)生的，ROM中存放的數(shù)據(jù)為下級運算所需倒序的序列地址，發(fā)生地址給RAM，然后RAM按倒序地址輸出下級需要進(jìn)行運算的數(shù)據(jù)。

數(shù)字信號處理系統(tǒng)可分為定點制、浮點制和塊浮點制，它們在實現(xiàn)時對系統(tǒng)資源的要求不同，工作速度也不同，有著不同的適用范圍。定點制算法簡單，速度快，但動態(tài)范圍有限，需要用合適的溢出控制規(guī)則(如定比例法)適當(dāng)壓縮輸入信號的動態(tài)范圍。浮點表示法動態(tài)范圍大，可避免溢出，但系統(tǒng)實現(xiàn)復(fù)雜，硬件需求量大，速度慢。

存儲器RAM設(shè)計為64×16 b的雙端口RAM，即在時鐘信號和寫控制信號同時為低電平時，從輸入總線寫入RAM;在時鐘信號和讀控制信號同時為高電平時，從RAM輸出數(shù)據(jù)。

ROM為17×16 b的ROM，儲存經(jīng)過量化后的旋轉(zhuǎn)因子，旋轉(zhuǎn)因子為正弦函數(shù)和余弦函數(shù)的組合。

磁珠在PCB板上布局安裝時，不得在直插接插件的3cm范圍內(nèi)，平插接插件不受此限制;

磁環(huán)在導(dǎo)線上安裝后，需要進(jìn)行固定，固定材料使用硅膠，熱熔后粘接方式固定;

磁珠的失效機(jī)理之一是熱失效，失效的原因是磁珠上通過了較大的電流，電流在磁珠的直流電阻Rdc上產(chǎn)生熱耗(Q=I2*Rdc)，熱量較大不能及時被散掉，會導(dǎo)致磁珠整體受熱不均勻，從而產(chǎn)生內(nèi)應(yīng)力導(dǎo)致出現(xiàn)裂紋，裂紋的出現(xiàn)，使導(dǎo)磁材料的導(dǎo)磁性能受到損傷，因此高頻波動信號在導(dǎo)磁材料上的磁力線傳輸受到影響，使濾波效果變差。

電源額定電壓3.3V、額定電流300mA，電路板上的遠(yuǎn)端IC要求電源電壓最低不得低于3.0V，并且要求對于100MHZ、300mVpp的噪聲，經(jīng)過磁珠濾波后能達(dá)到50mVpp的水平

解：

則對于100MHz的信號，300mV的噪聲需要濾波后衰減到50mV，意即在磁珠上分壓要達(dá)到250mV，假設(shè)負(fù)載RL=50Ω。則Rac/RL=250/50，其中RL=50Ω，得Rac=250Ω(在100MHz時)

電源額定電流300mA，降額系數(shù)按照0.75，則選擇最小額定電流不低于300mA / 0.75 = 400 mA的磁珠;

IC要求電源電壓最低不得低于3.0V，則磁珠上直流電阻Rdc上的最大壓降須不大于0.3V，即300mA * Rdc < 0.3 V，得Rdc < 1 Ω。

選擇磁珠指標(biāo)符合以下要求：Rac≥250Ω(在100MHz時)、額定電流不低于400mA、Rdc<1 Ω。

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