射頻信號源的頻率合成電路，還包括電阻R22，電阻R22一端與芯片ADF4351的復位引腳RSET連接，其另一端接地。電阻R22連接在復位引腳RSET可設置電荷泵輸出電流。

本實用新型與現有技術相比，具有如下的優(yōu)點和有益效果：新型利用芯片ADF4351的優(yōu)勢，使得頻率合成器的帶寬增加，提高頻率源的效率，使頻率源更穩(wěn)定的工作；利用芯片ADF4351設計的頻率合成器還具有體積小、功耗低的特點。

用來提供對本實用新型實施例的進一步理解，構成本申請的一部分，并不構成對本實用新型實施例的限定。為使本實用新型的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚明白，下面結合實施例和附圖，對本實用新型作進一步的詳細說明，本實用新型的示意性實施方式及其說明僅用于解釋本實用新型，并不作為對本實用新型的限定。

基于射頻信號源的頻率合成電路，包括芯片ADF4351、電阻R19、電阻R23、電阻R24、電容C31、電容C33、電容C38、發(fā)光二極管LED，電阻R19一端與發(fā)光二極管LED的陽極連接，其另一端與芯片ADF4351的鎖定檢測輸出引腳LD連接，所述發(fā)光二極管LED的陰極接地，芯片ADF4351的信號經過鎖定檢測輸出引腳LD通過電阻R19輸出；所述芯片ADF4351的電荷泵輸出引腳CPout、電阻R23、電容C38 依次連接，且電容C38相對于與電阻R23連接的另一端接地；所述芯片ADF4351的電荷泵輸出引腳CPout、電容C31、電阻R24依次連接，且電阻R24相對于與電容C31連接的另一端接地，電容C33一端與芯片ADF4351的電荷泵輸出引腳CPout連接，其另一端接地。

基于射頻信號源的頻率合成電路，還包括電阻R22、電容C24、電容C25、電容C26、電容C28、電容C30、電容C32，電阻R22一端與芯片ADF4351的復位引腳RSET連接，其另一端接地；所述電容C24一端與芯片ADF4351的基準電壓引腳Vref連接，其另一端接地，電容C25并聯在電容C24兩端；所述電容C26一端與芯片ADF4351的內部補償節(jié)點引腳Vcom連接，其另一端接地，電容C28并聯在電容C26兩端；電容C30一端與芯片ADF4351的溫度補償輸出引腳TEMP連接，其另一端接地，電容C32并聯在電容C30兩端。

芯片ADF4351的VCO輸出引腳RFOUTa+、電容C40、電阻R26依次連接，電阻R26相對于與電容C40連接的另一端接地，接口P2一端連接在電阻R26與電容C40連接的線路上，其另一端接地；芯片ADF4351的互補VCO輸出引腳RFOUTa-、電容C41、接口P3依次連接，接口P3相對于與電容C41連接的另一端接地。

芯片ADF4351是鎖相環(huán)芯片，它具有一個集成電壓控制振蕩器（VCO），其基波輸出頻率范圍為2200MHz至4400MHz，此外，還可以利用1/2/4/8/16/32/64分頻電路，產生低至35MHz的RF輸出頻率，并且可以調整內部分頻器數值和輸出功率高低，而且鎖相環(huán)芯片還有一個鎖定檢測輸出引腳LD，通過對此端口的配置可以檢測鎖相環(huán)芯片的內部工作狀態(tài)，對芯片配置完成之后，重新加電可以使頻率合成器正常工作。

使用的元器件規(guī)格如下：電容C19-1nF；電容C20-1nF；電容C21-10pF；電容C24-0.1uF；電容C25-10pF；電容C26-0.1uF；電容C28-10pF；電容C30-0.1uF；電容C32-10pF；電容C31-2.55nF；電容C33-188pF；電容C38-85.5pF；電容C40-1nF；電容C41-1nF；電容C42-0.1uF；電容C43-0.1uF；電容C44-0.1uF；電容C45-0.1uF；電阻R16-10k歐姆；電阻R18-51歐姆；電阻R19-1k歐姆；電阻R22-4.7k歐姆；電阻R23-1.78k歐姆；電阻R24-874歐姆；電阻R26-51歐姆；電感L2-3.9nH；電感L3-3.9nH；接口P1-SMA接口；接口P2-SMA接口；接口P3-SMA接口。

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