不過微型凸塊不會很快在市場上消失，微型凸塊和混合鍵合技術(shù)都將在市場上占據(jù)一席之地，這取決于具體的應(yīng)用。

智能設(shè)備如手機、PC、平板電腦甚至到自動駕駛汽車、智慧工廠、云視頻提供商，海量數(shù)據(jù)的產(chǎn)生正在快速驅(qū)動高速數(shù)據(jù)和模擬集成電路的增長需求，芯片復(fù)雜度也快速提升。

為滿足市場對IC高速測試的需求，史密斯英特康推出DaVinci56高速測試插座系列，可用于測試人工智能、自動駕駛、400G以太網(wǎng)交換機，路由器及網(wǎng)絡(luò)處理器等應(yīng)用的集成芯片。

DaVinci測試插座應(yīng)用,Imec 正在開發(fā)一種使用 TCB 實現(xiàn)的 10μm 間距技術(shù)，7μm 和 5μm 也正在研發(fā)中。40μm 凸塊間距有足夠的焊接材料來補償電流變化。當縮放到 10μm 或更小的間距時，情況將會發(fā)生變化，在細間距的微泵中，電流量和良好的連接取決于 TCB 工具的精度、錯位、傾斜以及焊料的變形量。

三款顯卡 : RTX 3090 24GB, RTX 3080 10GB 和 RTX 3070 8GB。

外媒稱，英偉達合作伙伴也在準備 RTX 3080 的第二種版本，顯存翻倍至 20GB，但目前這一型號還處于 “TBA”階段，可能會在稍后推出。

報道稱，GeForce RTX 安培顯卡將引入第二代光線追蹤核心和第三代張量核心，新卡還將支持 PCI Express 4.0，還有 HDMI 2.1 和 DisplayPort 1.4a 接口。

以下是 Videocardz 制作的參數(shù)表格：

GeForce RTX 3090 采用 GA102-300 GPU, 5248 CUDA 核心，384 bit 位寬，24GB GDDR6X 顯存，最大的理論帶寬 936 GB/s，350W 整板功率。

RTX 3080 擁有 4352 個 CUDA 核心 和 10GB 的 GDDR6X 顯存，320 bit 位寬，最大帶寬 760 GB/s ，TGP 為 320W。

220W，CUDA 的核心規(guī)格還有待確認。

外媒稱他們拿到的數(shù)據(jù)顯示RTX 30系列顯卡采用了7nm工藝，但不能完全確認。

混合鍵合技術(shù)正在發(fā)展，臺積電最有發(fā)言權(quán)，其正在研究一種叫做集成芯片系統(tǒng)（SoIC）的技術(shù)。使用混合鍵合，臺積電的 SoIC 技術(shù)可以實現(xiàn)低于微米的鍵合間距。據(jù)悉，SoIC 的緩沖墊間距是現(xiàn)有方案的 0.25 倍。高密度版本可以實現(xiàn) 10 倍以上的芯片到芯片的通信速度，高達近 2000 倍的帶寬密度和 20 倍的能源效率。

臺積電的 SoIC 計劃于 2021 年投入生產(chǎn)，可以實現(xiàn)小間距 HBM 和 SRAM 存儲立方體以及類似 3D 的芯片架構(gòu)。繼承了 SoIC 的 DRAM 存儲器立方體可以提供更高的存儲器密度、帶寬和功率效率�！�

臺積電正在開發(fā)芯片對晶圓（Chip-to-Wafer）的混合鍵合技術(shù)。晶圓鍵合已經(jīng)在微機電系統(tǒng)（MEMS）和其他應(yīng)用中使用多年，且類型眾多。微電子和微機電系統(tǒng)的制造和封裝依賴于兩個基板或晶片的鍵合，在微機電系統(tǒng)的制造過程中，器件晶圓將被粘合到另一個晶圓上，以保護敏感的 MEMS 結(jié)構(gòu)。直接鍵合技術(shù)（例如熔融鍵合和陽極鍵合）或間接鍵合技術(shù)（例如金屬共晶、熱壓鍵合和膠粘劑鍵合）都是常用的方法。使用膠粘劑作為兩個基板之間的中間層，處理會更加靈活。

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