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耐能KL720芯片的3大優(yōu)勢 三大優(yōu)勢

發(fā)布時(shí)間:2020/9/10 23:15:12 訪問次數(shù):2047

耐能KL720采用自主研發(fā)的KDP720系列NPU IP,內(nèi)置ARM Cortex-M4 CPU、FPU與Cadence P6 DSP,算力最高可達(dá)1.5TOPS,并支持CNN與RNN。

憑借獨(dú)特可重構(gòu)技術(shù),其可重新配置IP,能在相同的硬件架構(gòu)中支持不同的CNN模型,提升使用率高達(dá)70%。

耐能KL720芯片擁有三大優(yōu)勢:

性能完備、功耗極低、安全性高、算力強(qiáng)大

可支持4K圖像、1080p高畫質(zhì)影片和自然語言音頻處理

可支持設(shè)備抓取更多細(xì)節(jié),精準(zhǔn)識(shí)別臉部和語音

MobileNetV2測試結(jié)果,KL720的性能比市場上很多芯片的邊緣TPU高出4倍之多。

在性能完備的情況下,相較市場同類芯片,KL720將功耗降低了超過50%,能夠以極低的功耗為終端設(shè)備提供強(qiáng)大運(yùn)算算力。

目前大疆無人機(jī)上使用的芯片,KL720可在保持各種性能不變的前提下,其功耗能降低一半,可將電池壽命延長一倍。

邊緣定位誤差導(dǎo)致VC-M1良率損失的7nm 6T SRAM模型,采用的技術(shù)包括結(jié)構(gòu)構(gòu)建、模型校準(zhǔn)、虛擬量測、失效分類、良率預(yù)測和工藝窗口優(yōu)化。分析結(jié)果表明通過工藝窗口優(yōu)化功能和收緊規(guī)格要求可以將良率從48.4%提高到99.0%?梢钥闯,虛擬制造可廣泛應(yīng)用于各種良率提升研究,而這些研究的結(jié)果將推動(dòng)半導(dǎo)體工藝和技術(shù)的發(fā)展。

容量為4 Mb的EEPROM是目前市場上面向開發(fā)人員的最大容量EEPROM,將此前的2 Mb密度提高了一倍。到目前為止,開發(fā)人員在所有2Mb+非易失性數(shù)據(jù)集應(yīng)用程序上一直采用的是低成本的NOR閃存集成電路。由于EEPROM性能超過NOR閃存,為滿足客戶要求,Microchip推出了容量更大的4Mb EEPROM。新款EEPROM的優(yōu)勢包括:待機(jī)電流更低(從15 μA降低至2 μA),可執(zhí)行單字節(jié)、多字節(jié)和整頁寫入、扇區(qū)擦除/重寫時(shí)間更短(從300 ms縮短至5 ms)和擦除/重寫次數(shù)更多(從10萬次提升至100萬次)。

充分挖掘串行EEPROM潛力可以為產(chǎn)品創(chuàng)新提供支持,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以對系統(tǒng)進(jìn)行重新評(píng)估,并利用這項(xiàng)新技術(shù)來優(yōu)化設(shè)計(jì)性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip陣容龐大的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合的一部分。該產(chǎn)品組合集成了Microchip全部系統(tǒng)解決方案,支持8位、16位和32位單片機(jī)和微處理器。Microchip豐富的存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列包括串行EEPROM、NOR閃存,SRAM和EERAM,這些產(chǎn)品支持所有串行總線標(biāo)準(zhǔn),以及從128位至64Mb的所有標(biāo)準(zhǔn)密度。

Microchip公司始終致力于推出新的串行EEPROM,每年向客戶交付EEPROM器件約10億件。

Microchip的4Mb串行EEPROM器件受MPLABò串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品入門工具包支持。該工具包含有串行存儲(chǔ)器接口板、串行EEPROM入門軟件包、USB電纜、包含MPLAB X的集成開發(fā)環(huán)境的光盤、Total Endurance™軟件模型和串行EEPROM接口工具。25CSM04 系列存儲(chǔ)器件提供三種封裝選項(xiàng).


(素材:chinaaet.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除)

耐能KL720采用自主研發(fā)的KDP720系列NPU IP,內(nèi)置ARM Cortex-M4 CPU、FPU與Cadence P6 DSP,算力最高可達(dá)1.5TOPS,并支持CNN與RNN。

憑借獨(dú)特可重構(gòu)技術(shù),其可重新配置IP,能在相同的硬件架構(gòu)中支持不同的CNN模型,提升使用率高達(dá)70%。

耐能KL720芯片擁有三大優(yōu)勢:

性能完備、功耗極低、安全性高、算力強(qiáng)大

可支持4K圖像、1080p高畫質(zhì)影片和自然語言音頻處理

可支持設(shè)備抓取更多細(xì)節(jié),精準(zhǔn)識(shí)別臉部和語音

MobileNetV2測試結(jié)果,KL720的性能比市場上很多芯片的邊緣TPU高出4倍之多。

在性能完備的情況下,相較市場同類芯片,KL720將功耗降低了超過50%,能夠以極低的功耗為終端設(shè)備提供強(qiáng)大運(yùn)算算力。

目前大疆無人機(jī)上使用的芯片,KL720可在保持各種性能不變的前提下,其功耗能降低一半,可將電池壽命延長一倍。

邊緣定位誤差導(dǎo)致VC-M1良率損失的7nm 6T SRAM模型,采用的技術(shù)包括結(jié)構(gòu)構(gòu)建、模型校準(zhǔn)、虛擬量測、失效分類、良率預(yù)測和工藝窗口優(yōu)化。分析結(jié)果表明通過工藝窗口優(yōu)化功能和收緊規(guī)格要求可以將良率從48.4%提高到99.0%?梢钥闯觯摂M制造可廣泛應(yīng)用于各種良率提升研究,而這些研究的結(jié)果將推動(dòng)半導(dǎo)體工藝和技術(shù)的發(fā)展。

容量為4 Mb的EEPROM是目前市場上面向開發(fā)人員的最大容量EEPROM,將此前的2 Mb密度提高了一倍。到目前為止,開發(fā)人員在所有2Mb+非易失性數(shù)據(jù)集應(yīng)用程序上一直采用的是低成本的NOR閃存集成電路。由于EEPROM性能超過NOR閃存,為滿足客戶要求,Microchip推出了容量更大的4Mb EEPROM。新款EEPROM的優(yōu)勢包括:待機(jī)電流更低(從15 μA降低至2 μA),可執(zhí)行單字節(jié)、多字節(jié)和整頁寫入、扇區(qū)擦除/重寫時(shí)間更短(從300 ms縮短至5 ms)和擦除/重寫次數(shù)更多(從10萬次提升至100萬次)。

充分挖掘串行EEPROM潛力可以為產(chǎn)品創(chuàng)新提供支持,設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以對系統(tǒng)進(jìn)行重新評(píng)估,并利用這項(xiàng)新技術(shù)來優(yōu)化設(shè)計(jì)性能。

25CSM04型EEPROM是Microchip陣容龐大的非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品組合的一部分。該產(chǎn)品組合集成了Microchip全部系統(tǒng)解決方案,支持8位、16位和32位單片機(jī)和微處理器。Microchip豐富的存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列包括串行EEPROM、NOR閃存,SRAM和EERAM,這些產(chǎn)品支持所有串行總線標(biāo)準(zhǔn),以及從128位至64Mb的所有標(biāo)準(zhǔn)密度。

Microchip公司始終致力于推出新的串行EEPROM,每年向客戶交付EEPROM器件約10億件。

Microchip的4Mb串行EEPROM器件受MPLABò串行存儲(chǔ)器產(chǎn)品入門工具包支持。該工具包含有串行存儲(chǔ)器接口板、串行EEPROM入門軟件包、USB電纜、包含MPLAB X的集成開發(fā)環(huán)境的光盤、Total Endurance™軟件模型和串行EEPROM接口工具。25CSM04 系列存儲(chǔ)器件提供三種封裝選項(xiàng).


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