高功率步進(jìn)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)芯片

發(fā)布時(shí)間:2020/9/12 14:40:31 訪問次數(shù):1543

氮化鎵(GaN)為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高溫、高壓、高頻等應(yīng)用場(chǎng)合其半導(dǎo)體器件的特性都要優(yōu)于Si基半導(dǎo)體器件，因此，在電力電子的應(yīng)用領(lǐng)域備受矚目。

用GaN材料制成的功率器件GaN FET具有低的擊穿電壓、低的閾值電壓、低的柵極電荷Qg，其開關(guān)頻率高，導(dǎo)通電阻小。GaN FET優(yōu)越的特性與其器件結(jié)構(gòu)有極大的關(guān)系。但是它的缺點(diǎn)也不可忽視，在高頻應(yīng)用場(chǎng)合表現(xiàn)極為明顯，比如其對(duì)寄生參數(shù)極其敏感，高頻使用時(shí)極易使柵極電壓產(chǎn)生振蕩，引起柵極過電壓，導(dǎo)致器件工作不穩(wěn)定，甚至不安全。

因此相較于傳統(tǒng)的Si基半導(dǎo)體器件的驅(qū)動(dòng)電路，GaN FET的驅(qū)動(dòng)要求更為嚴(yán)苛。GaN FET的進(jìn)步、應(yīng)用的發(fā)展與其器件結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路有密不可分的聯(lián)系，因此，其器件結(jié)構(gòu)和驅(qū)動(dòng)電路的研究很有意義。

制造商:Toshiba產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:

技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DSOP-8晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極擊穿電壓:150 VId-連續(xù)漏極電流:50 ARds On-漏源導(dǎo)通電阻:15.4 mOhmsVgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 VVgs th-柵源極閾值電壓:2 VQg-柵極電荷:22 nC最大工作溫度:+ 150 CPd-功率耗散:142 W通道模式:Enhancement商標(biāo)名:封裝:Cut Tape封裝:MouseReel封裝:Reel配置:Single

系列:

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):Toshiba

下降時(shí)間:12 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:8 ns

5000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:36 ns

典型接通延遲時(shí)間:20 ns

帶串行通信接口的高功率步進(jìn)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)芯片TMC5160, 將實(shí)現(xiàn)自動(dòng)目標(biāo)定位的靈活斜坡發(fā)生器和業(yè)界最先進(jìn)的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器結(jié)合在一起。通過外置MOSFET，實(shí)現(xiàn)高動(dòng)態(tài)、高扭矩電機(jī)驅(qū)動(dòng)。Trinamic先進(jìn)的spreadCycle和stealthChop斬波器、驅(qū)動(dòng)器，可以絕對(duì)無(wú)噪音地運(yùn)行，并實(shí)現(xiàn)最大效率和最佳電機(jī)扭矩控制。TMC5160的高集成度、高能效和小外形尺寸的特性，使系統(tǒng)小型化和性能可擴(kuò)展變得可行，從而讓經(jīng)濟(jì)、高效的解決方案得以實(shí)現(xiàn)。完整的解決方案在實(shí)現(xiàn)高性能基礎(chǔ)上，能將學(xué)習(xí)時(shí)間盡可能縮短，加快產(chǎn)品上市時(shí)間。

簡(jiǎn)單易用和成本效益原則是Trinamic設(shè)計(jì)師在設(shè)計(jì)步進(jìn)電機(jī)驅(qū)控芯片時(shí)的指導(dǎo)方針。TMC5160將強(qiáng)大的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和運(yùn)動(dòng)控制器集成在一塊芯片上，將數(shù)字信息直接轉(zhuǎn)換為平滑、精確、可靠的物理運(yùn)動(dòng)，被廣泛地用于機(jī)器人、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、紡織、縫紉機(jī)、包裝、工廠和實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化、高速 3D 打印機(jī)、液體處理、醫(yī)療、辦公自動(dòng)化、視頻監(jiān)控、自動(dòng)取款機(jī)和現(xiàn)金回收機(jī)等應(yīng)用中。