最佳相位性能和最大輸出功率一致，因此測得的功率足以確保最佳的相位噪聲性能。本例中的校準(zhǔn)器為 ADIADL6010 功率檢波器，用于測量組合信號的輸出幅度。在此方法中，可 (在每個頻率)調(diào)節(jié)每個 PLL 的相位，當(dāng)組合功率達到最大值時，相位調(diào)節(jié)恒定。針對其他每個 PLL 重復(fù)該過程，直到所有四個 PLL 都上電并得到調(diào)節(jié)，這樣合成器輸出端的信號即會達到最大值。

集成四個相位對準(zhǔn) ADF4355 的 PLL/VCO 以及 ADCLK948 時鐘緩沖器、合成器(PBR-0006SMG)和校準(zhǔn)電路

實際結(jié)果遵循理論，針對 PLL/VCO 的每次倍頻具有所述的正確相位性能，相比單個 PLL/VCO，四個 PLL/VCO 的組合相位噪聲可改善 6 dB。

當(dāng)四個 PLL/VCO 相位組合時，一個 ADF4355 PLL (1 MHz 偏移時–134 dBc/Hz/)的性能可改善 6 dB (1 MHz 偏移時約–140 dBc/Hz)。

特點 375/456-MHz ARM926EJ-S™ RISC 內(nèi)核 ARM9 內(nèi)存架構(gòu) 可編程實時單元子系統(tǒng) 增強版直接內(nèi)存存取控制器 3 (EDMA3) 兩個外部內(nèi)存接口 三個可配置的 16550 型 UART 模塊 兩個串行外設(shè)接口 (SPI) 配有安全數(shù)據(jù)輸入/輸出 (SDIO) 的多媒體卡 (MMC)/ 安全數(shù)碼 (SD) 卡接口 兩個主/從內(nèi)部集成電路.

TI AM1808 評估模塊Texas Instruments TMDXEXP1808L AM18x eXperimenter 套件 和 TMDXEVM1808L AM18x 評估模塊用于評估 AM1806 和 AM1808 應(yīng)用程序處理器的功能。 兩種套件均配有 AM1808 SOM-M1、應(yīng)用底板、觸摸屏 LCD 和開發(fā)工作所需的軟件。 AM18x 評估模塊還配有用戶接口板、網(wǎng)絡(luò) / USB / 串行連接器和電纜。

瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器通過降低容性負載、數(shù)據(jù)對準(zhǔn)和信號恢復(fù)技術(shù)的組合，使重載通道的系統(tǒng)眼圖最大化。這使具有大量內(nèi)存通道和插槽以及復(fù)雜路由拓撲的服務(wù)器主板即使在高密度內(nèi)存滿載的情況下，也能夠以最高速度運行。此外，DDR5模組定義的改進允許更低的電源電壓（DDR5中為1.1V，DDR4中則為1.2V）、DIMM模組內(nèi)電壓調(diào)節(jié)以及通過使用SPD集線器和現(xiàn)代控制總線通信（如I3C）來實現(xiàn)先進的控制平面架構(gòu)。

自雙列直插式內(nèi)存模組問世以來，瑞薩作為業(yè)界資深的內(nèi)存接口產(chǎn)品供應(yīng)商，始終致力于完整芯片組解決方案的研發(fā)。作為整體產(chǎn)品家族的一部分，經(jīng)過優(yōu)化的全新瑞薩DDR5數(shù)據(jù)緩沖器5DB0148，可與LRDIMM存儲器模組上的其它瑞薩DDR5組件無縫對接，包括電源管理芯片P8900、寄存時鐘驅(qū)動器5RCD0148、SPD集線器SPD5118以及溫度傳感器TS5111，確保部署瑞薩芯片組解決方案的內(nèi)存供應(yīng)商獲得完整的互操作性和穩(wěn)定的質(zhì)量。