ISOdriver則通過將隔離器及驅(qū)動(dòng)器集成至單芯片中，將外部物料清單精簡(jiǎn)至只需三個(gè)電容器及一個(gè)二極管，這讓隔離型高側(cè)/低側(cè) (high-side/low-side) 或是雙低側(cè) (dual low-side) 驅(qū)動(dòng)器解決方案僅占200平方毫米的面積。

相較于以光耦合器為基礎(chǔ)的解決方案，Si823x ISOdriver系列能提供許多性能上的改善。例如通過唯一隔離型/高側(cè)/低側(cè)的4安培驅(qū)動(dòng)器，ISOdriver系列能顯著地改善MOSFET的開關(guān)次數(shù)，而減少FET開關(guān)周期的功耗則能讓供電更有效率。

通過避免使高側(cè)和低側(cè)MOSFET在同一時(shí)間啟動(dòng)，則可有效改善集成型重疊防護(hù)的效率。傳統(tǒng)光學(xué)隔離器解決方案的傳遞延遲可能高達(dá)數(shù)百納秒或甚至更久，ISOdriver的傳遞延遲則縮短許多，最多只有50納秒，如此能增加時(shí)序容限并改善操縱性，以提供更佳的整體性能和穩(wěn)定性。

制造商: Texas Instruments產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WSON-FET-6

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 32 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 10 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.3 V

Qg-柵極電荷: 2.1 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.3 W

資格: AEC-Q101

商標(biāo)名: NexFET

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

配置: Single

高度: 0.75 mm

長(zhǎng)度: 2 mm

系列: CSD17313Q2Q1

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 2 mm

商標(biāo): Texas Instruments

正向跨導(dǎo) - 最小值: 16 S

下降時(shí)間: 1.3 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 3.9 ns

工廠包裝數(shù)量: 3000

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 4.2 ns

典型接通延遲時(shí)間: 2.8 ns

單位重量: 8.700 mg

由于ISOdriver是基于CMOS進(jìn)行設(shè)計(jì)，因此并不會(huì)像光學(xué)耦合器解決方案會(huì)隨著時(shí)間和溫度改變而產(chǎn)生性能不穩(wěn)的狀況。ISOdriver基于CMOS的獨(dú)特設(shè)計(jì)還提供其它的好處，例如能提供更高精度的產(chǎn)品間變異，以避免在系統(tǒng)組裝后還必需要進(jìn)行工廠篩檢或是分級(jí)。

除了性能、集成度和穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn)外，Si823x系列的特點(diǎn)還包括可編程化的空載時(shí)間，讓使用者能針對(duì)效率進(jìn)行最佳化。

Si823x系列已開始供貨，每千顆的單價(jià)介于1.15至1.60美元之間，根據(jù)類型及峰值輸入電流的不同而有所差異。Si823x提供三種輸入類型，并提供0.5和4安培峰值輸出電流。也提供雙線和脈寬調(diào)制(PWM) 等兩種控制接口。

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