貼片時(shí)必須使BGA芯片上的每一個(gè)焊錫球與PCB上每一個(gè)對(duì)應(yīng)的焊點(diǎn)對(duì)正。

在回流焊過(guò)程中，要正確選擇各區(qū)的加熱溫度和時(shí)間，同時(shí)應(yīng)注意升溫的速度。一般，在100℃前，最大的升溫速度不超過(guò)6℃/s，100℃以后最大的升溫速度不超過(guò)3℃/s，在冷卻區(qū)，最大的冷卻速度不超過(guò)6℃/s。

因?yàn)檫^(guò)高的升溫和降溫速度都可能損壞PCB和芯片，這種損壞有時(shí)是肉眼不能觀察到的。同時(shí)，對(duì)不同的芯片、不同的焊錫膏，應(yīng)選擇不同的加熱溫度和時(shí)間；對(duì)免洗焊膏，其活性低于非免洗焊膏，焊接溫度不宜過(guò)高，焊接時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng)，以防止焊錫顆粒的氧化。

在進(jìn)行PCB設(shè)計(jì)時(shí)，PCB上BGA的所有焊點(diǎn)的焊盤(pán)應(yīng)設(shè)計(jì)成一樣大，如果某些過(guò)孔必須設(shè)計(jì)到焊盤(pán)下面，也應(yīng)當(dāng)找合適的PCB廠家，確保所有焊盤(pán)大小一致，焊盤(pán)上焊錫一樣多且高度一致。

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:SOT-23-3通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:60 VId-連續(xù)漏極電流:115 mA

制造商:Infineon產(chǎn)品種類:IGBT 模塊RoHS:否商標(biāo):Infineon Technologies產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules配置:Half Bridge集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:1200 V集電極—射極飽和電壓:2.5 V在25 C的連續(xù)集電極電流:145 A柵極—射極漏泄電流:400 nA最大工作溫度:+ 150 C封裝 / 箱體:Half Bridge1柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V最小工作溫度:- 40 C安裝風(fēng)格:ScrewPd-功率耗散:700 W工廠包裝數(shù)量:10

CH579是集成BLE無(wú)線通訊的ARM內(nèi)核32位微控制器。片上集成低功耗藍(lán)牙BLE通訊模塊、以太網(wǎng)控制器及收發(fā)器、全速USB主機(jī)和設(shè)備控制器及收發(fā)器、段式LCD驅(qū)動(dòng)模塊、ADC、觸摸按鍵檢測(cè)模塊、RTC等豐富的外設(shè)資源。

芯片框圖

特點(diǎn)

32位ARM Cortex-M0內(nèi)核，最高40MHz系統(tǒng)主頻

內(nèi)置32K SRAM，250KB CodeFlash，2KB DataFlash, 4KB BootLoader，支持ICP、ISP和IAP，支持OTA無(wú)線升級(jí)

支持藍(lán)牙BLE，兼容Bluetooth Low Energy 4.2規(guī)范

集成2.4GHz RF收發(fā)器和基帶及鏈路控制，單端RF接口，無(wú)需外部電感，簡(jiǎn)化板級(jí)設(shè)計(jì)，提供協(xié)議棧和應(yīng)用層API

支持3.3V和2.5V電源，范圍2.1V～3.6V, 內(nèi)置DC/DC轉(zhuǎn)換，0dBm發(fā)送功率時(shí)電流6mA

多種低功耗模式：Idle，Halt，Sleep，Shutdown，內(nèi)置電池電壓低壓監(jiān)控，最低電流0.2uA

提供10M以太網(wǎng)接口，內(nèi)置PHY

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