新型40 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)，該功率級(jí)可為白色家電以及工業(yè)，醫(yī)療，醫(yī)療保健，醫(yī)療保健，和電信應(yīng)用程序。 

Vishay Siliconix SiZ240DT在一個(gè)緊湊的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封裝中集成了高側(cè)和低側(cè)MOSFET，提供了同類最佳的導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電阻乘以柵極電荷的能力-用于MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)指標(biāo)（FOM）電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

SiZ240DT中的兩個(gè)TrenchFET®MOSFET內(nèi)部以半橋配置連接。 SiZ240DT的通道1 MOSFET（通常用作同步降壓轉(zhuǎn)換器中的控制開(kāi)關(guān)）在10 V時(shí)提供最大8.05mΩ的導(dǎo)通電阻，在4.5 V時(shí)提供12.25mΩ的最大導(dǎo)通電阻。

過(guò)壓保護(hù)的熱保護(hù)元件的新系列ThermoFuse®壓敏電阻。

其中MT25系列 (B72225M*) 元件目前覆蓋的電壓范圍為150 VRMS 至385 VRMS，最大浪涌電流能力為20 kA（8/20 μs脈沖波形），符合IEC 61643-11標(biāo)準(zhǔn)。保護(hù)元件設(shè)計(jì)極為緊湊，完全封裝，尺寸僅為25 x 28 x 14 mm，并可選帶或不帶電隔離的監(jiān)測(cè)輸出。

MT30系列 (B72230M*) 元件的電壓范圍則為150 VRMS 至 750 VRMS，最大浪涌電流能力為25 kA（8/20 μs脈沖波形），同樣符合IEC 61643-11標(biāo)準(zhǔn)，尺寸為34 x 28 x 14 mm，該設(shè)計(jì)為不帶電隔離的監(jiān)測(cè)輸出。

極紫外光刻機(jī)是7nm和5nm芯片制程工藝所必不可少的設(shè)備，目前全球只有阿斯麥能供應(yīng)。臺(tái)積電、三星這兩大芯片代工商的制程工藝都已提升到了7nm和5nm，他們所需要的極紫外光刻機(jī)也全部仰仗于阿斯麥，全新的TWINSCAN NXE:3600D的首臺(tái)，預(yù)計(jì)也會(huì)交由這兩家代工商中的一家。

阿斯麥目前在售的兩款極紫外光刻機(jī)分別是TWINSCAN NXE:3400B和TWINSCAN NXE:3400C，采用的都是波長(zhǎng)為13.5nm的極紫外光源，20mJ/cm2的曝光速度下，前者每小時(shí)可處理125片晶圓，后者則可達(dá)到170片。

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