技術層面，SiC襯底和外延方面，國內仍然是4英寸為主，已開發(fā)出6英寸產品并實現(xiàn)小批量供貨；國內批量生產的GaN襯底仍以2英寸為主。

國內600 ～3300V SiC肖特基二極管技術較為成熟，產業(yè)化程度繼續(xù)提升，目前也已研制出1200～1700V SiC金氧半場效晶體管（MOSFET）器件，但可靠性較低，目前處于小批量生產階段；

國內全SiC功率模塊，主要指標為1200V /50～600A、650V /900A。GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）方面，國內2018年推出了650V/10 ～30A的GaN晶體管產品；GaN微波射頻器件方面，國產GaN射頻放大器已成功應用于基站，Sub 6 GHz和毫米波GaN射頻功率放大器也已實現(xiàn)量產。

產業(yè)方面，在半導體對外投資受阻情況下，國內自主創(chuàng)新發(fā)展是必由之路。

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 詳細信息

技術: Si

安裝風格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-220-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 700 V

Id-連續(xù)漏極電流: 12.5 A

Rds On-漏源導通電阻: 300 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Qg-柵極電荷: 16.4 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 26.5 W

通道模式: Enhancement

商標名: CoolMOS

封裝: Tube

配置: Single

高度: 16.15 mm

長度: 10.65 mm

系列: CoolMOS P7

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 4.85 mm

商標: Infineon Technologies

下降時間: 18 ns

產品類型: MOSFET

上升時間: 8 ns

工廠包裝數(shù)量: 500

子類別: MOSFETs

典型關閉延遲時間: 100 ns

典型接通延遲時間: 19 ns

零件號別名: IPA70R360P7S SP001499698

單位重量: 1 g

2018年，在政策和資金的雙重支持下，國內第3代半導體領域新增3條SiC產線。投資方面GaN熱度更高，據(jù)第3代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟( CASA )不完全統(tǒng)計，2018年國內第3代半導體相關領域共有8起大的投資擴產項目，其中4起與GaN材料相關，涉及金額220億元。

與國際企業(yè)并購熱潮對比，國內2018年僅有2起。

生產模式上，大陸在第3代半導體電力電子器件領域形成了從襯底到模組完整的產業(yè)鏈體系，器件制造方面以IDM模式為主，且正在形成“設計—制造—封測”的分工體系；大陸代工產線總體尚在建設中，尚未形成穩(wěn)定批量生產。

(素材來源：chinaaet和ttic和cntronics.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）