電源直流穩(wěn)定電源，直流穩(wěn)定電源按習(xí)慣可分為化學(xué)電源，線性穩(wěn)定電源和開關(guān)型穩(wěn)定電源，它們又分別具有各種不同類型：

化學(xué)電源平常所用的干電池、鉛酸蓄電池、鎳鎘、鎳氫、鋰離子電池均屬于這一類，各有其優(yōu)缺點(diǎn)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，又產(chǎn)生了智能化電池;在充電電池材料方面，美國研制人員發(fā)現(xiàn)錳的一種碘化物，用它可以制造出便宜、小巧、放電時(shí)間長，多次充電后仍保持性能良好的環(huán)保型充電電池。

線性穩(wěn)定電源有一個(gè)共同的特點(diǎn)就是它的功率器件調(diào)整管工作在線性區(qū)，靠調(diào)整管之間的電壓降來穩(wěn)定輸出。由于調(diào)整管靜態(tài)損耗大，需要安裝一個(gè)很大的散熱器給它散熱。而且由于變壓器工作在工頻(50Hz)上，所以重量較大。

2EDN752x/2EDN852x系列產(chǎn)品是先進(jìn)的雙路氮化鎵驅(qū)動(dòng)器,具有比硅器件有明顯的優(yōu)越性,特別是它的更高的臨界電場(chǎng)是使得氮化鎵對(duì)功率半導(dǎo)體器件具有非常大的吸引力.

和Si MOSFET相比,它的動(dòng)態(tài)開態(tài)電阻和更小的電容值.因此,GaN HEMT晶體管具有更高的開關(guān)速度,更高的工作頻率,提高了功率密度和整個(gè)系統(tǒng)的效率.

2EDN752x/2EDN852x系列適合于驅(qū)動(dòng)邏輯和正常電平MOSFET,支持OptiMOSTM, CoolMOSTM,標(biāo)準(zhǔn)電平MOSFET,超級(jí)結(jié)MOSFET以及IGBT和GaN功率器件.控制和使能輸入是LV-TTL兼容(CMOS 3.3V),輸入電壓從-5V到+20V.

真正軌到軌級(jí),兩個(gè)輸出的每一輸出的沉和源電流是5A.通路到通路間傳輸時(shí)延為1ns,非常適合兩路并聯(lián)使用.主要用在服務(wù)器開關(guān)電源,通信開關(guān)電源,DC/DC轉(zhuǎn)換器,磚形電源,電動(dòng)工具,工業(yè)開關(guān)電源,馬達(dá)控制和太陽能開關(guān)電源.

雙極性結(jié)型晶體管(BJT)電流源或電流鏡。電流源的重要特性包括：在寬順從電壓范圍保持高輸出阻抗、能抑制外部變化（如電源或溫度）的影響。

電流鏡是一種電路模塊，通過復(fù)制輸出端子的電流來產(chǎn)生完全一樣的流入/流出輸入端子電流。簡(jiǎn)單的兩晶體管電流鏡主要是依靠?jī)蓚�(gè)大小相同，在相同溫度下具有相同的VBE的晶體管具有相同的漏極或集電極電流來實(shí)現(xiàn)的。電流鏡的一個(gè)重要特性是輸出阻抗相對(duì)較高，因此無論在何種負(fù)載條件下，輸出電流都可以保持恒定不變。

電流鏡的另一個(gè)特性是輸入電阻相對(duì)較低，因此無論在何種驅(qū)動(dòng)條件下，輸入電流都可以保持恒定不變。復(fù)制的電流可以而且通常都是一個(gè)不斷變化的信號(hào)電流。電流鏡常用于在放大級(jí)中提供偏置電流和有源負(fù)載。

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