小信號發(fā)射極電阻為1/gm且可視為與發(fā)射極串聯(lián)。在基極上施加電壓信號，相同的電流（忽略基極電流）會流入re和集電極負(fù)載RL。由RL與re的比值可得到增益A。

為另一種共發(fā)射極放大器測試電路方案。除了兩個小優(yōu)勢之外，所有屬性基本相同。其中一個優(yōu)勢是基極電流偏置不再取決于指數(shù)基極電壓（VBE）。第二個優(yōu)勢是AWG1衰減后輸出的交流小信號與基極偏置電路無關(guān)，并且無需交流耦合。當(dāng)把交流小信號接在運(yùn)算放大器的同相端子時，由于負(fù)反饋的作用，它也會出現(xiàn)在晶體管的基極端（反相運(yùn)算放大器輸入）。

替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置。

替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置面包板連接。

替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置，VIN和VBE。

替代方案的共發(fā)射極放大器測試配置VBE縮放。

提供負(fù)反饋 的自偏置配置

LED顯示屏專用芯片是指按照LED發(fā)光特性而設(shè)計(jì)的，專門用于LED顯示屏的驅(qū)動芯片。LED顯示屏驅(qū)動IC技術(shù)的成熟，可為LED顯示屏的顯示效果帶來質(zhì)的飛躍。

憑借LED顯示屏專用芯片輸出電流大、恒流等特點(diǎn)，LED顯示屏可適用于大電流、高畫質(zhì)的各種場合，直接推動LED顯示屏顯示內(nèi)容的形式以及應(yīng)用領(lǐng)域朝著更加多花樣化的方向發(fā)展。

華為使用的LED顯示屏驅(qū)動芯片均依靠外購，成立專門的屏幕驅(qū)動芯片部門將有助于華為補(bǔ)足其芯片設(shè)計(jì)缺口。據(jù)悉，華為旗下芯片設(shè)計(jì)公司海思的芯片產(chǎn)品有基帶芯片、SoC、服務(wù)器芯片等，還未覆蓋到屏幕驅(qū)動芯片。

中國屏幕驅(qū)動芯片依靠大量進(jìn)口，以中國屏幕龍頭企業(yè)京東方為例，該公司去年屏幕驅(qū)動芯片采購額超60億，其中國產(chǎn)芯片占比不到5%。

臺積電（TSM）的20nm節(jié)點(diǎn)。與晶體管密度相關(guān)的特性尺寸并沒有改變。所以這是對同一技術(shù)的改進(jìn)，但臺積電決定將其命名為16nm，就好像根據(jù)摩爾定律它是一個新節(jié)點(diǎn)，盡管實(shí)際上密度保持不變。所以當(dāng)臺積電推出10nm時，它代表了20nm的完全收縮，盡管它的名字（20->16->10）表明它將是更先進(jìn)的兩次收縮。

臺積電和三星已經(jīng)遙遙領(lǐng)先于英特爾：英特爾剛剛向10nm邁進(jìn)，而臺積電已經(jīng)在向5N邁進(jìn)。實(shí)際上，如果沒有上述營銷技巧，TMSC今年真的會從10nm [=7N]升級到7nm [=5N]。雖然是的，這比今年（明年，大部分時間也是2022年）仍將采用10nm技術(shù)的英特爾領(lǐng)先，但如果去年的頭條新聞?wù)fAMD將推出10nm芯片，人們會怎么看？事實(shí)上，我已經(jīng)看到許多出版物聲稱AMD已經(jīng)在市場上擁有7nm芯片。AMD不；至少，AMD在市場上還沒有英特爾的7nm晶體管。

節(jié)點(diǎn)名不能在代工廠之間進(jìn)行比較。雖然他們都有一種被稱為7nm的制造工藝，但英特爾的7nm工藝不同于臺積電（和三星）。

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