NFAM2012L5B和NFAL5065L4B，擴充了智能功率模塊（IPM）產(chǎn)品陣容，包括額定電壓650 V和1200 V，以及額定電流10 A至75 A。

三相逆變器集成了額定短路的溝槽型絕緣門雙極晶體管（Trench IGBT）、快速恢復二極管、門極驅(qū)動器、自舉電路、可選的NTC熱敏電阻和保護，通過一個額定2500 Vrms /分鐘的隔離提供緊湊可靠的模塊，獲UL1557認證。這些IPM具有直接鍵合銅基板和低損耗硅的特性，延長功率循環(huán)壽命和散熱能力。

通過片上電流隔離，NCD57000和NCD57001 IGBT門極驅(qū)動器透過減低系統(tǒng)復雜性實現(xiàn)緊湊、高效和可靠的門極驅(qū)動器設計。這些器件分別提供4 A/6 A供應電流和汲取電流，同時還集成了去飽和(DESAT)、米勒鉗位、欠壓鎖定（UVLO）保護、使能（Enable）和穩(wěn)壓VREF。

智慧城市已經(jīng)從概念逐漸走向落地，很多全球頂尖的城市已經(jīng)在推行，這是一大趨勢。人們都希望城市和出行更加智能、高效、安全，ST會通過半導體解決方案及合作伙伴實現(xiàn)這個目標。

在工業(yè)應用場景里面，電子系統(tǒng)正在變得越來越智能，工廠的生產(chǎn)線也會變得智能，如功率、能源等都是智能的，利用ST創(chuàng)新的技術(shù)可以為工業(yè)設備廠商節(jié)省成本。

全球工業(yè)電機裝機量達到3億臺，并且每年都保持約10％的增幅，電機用電量占總用電量近30％，因此，降低電機功耗的必要性變得越來越重要。如氮化鎵和碳化硅提升電力能源的轉(zhuǎn)化效率，ST推出工業(yè)用第二代碳化硅650V ／ 1200V MOSFET，該產(chǎn)品內(nèi)置嵌入式體二極管，即使在高溫條件下，開關(guān)損耗和功率也能保持極低的損耗，有助于工業(yè)設備降低功耗，縮減體積，降低重量。

在電力和能源管理領(lǐng)域，ST提供幾瓦到千瓦級的解決方案，我們的技術(shù)可以得到高度集成，為客戶帶來智能化、連接性的解決方案，可以實現(xiàn)硅在高低壓及不同材料應用上的正常使用。

當客戶在進行功率控制時，ST能夠?qū)⒉煌⒖刂破�、BCD和高壓MOSFET有效地組合在一起，帶來完整的、高集成度的解決方案。

隨著智能技術(shù)的發(fā)展，傳感器也需要更加智能。為了提升傳感器的精度和處理能力。ST傳感器通過數(shù)據(jù)搜集形成了自有的算法，我們的MEMS傳感器已經(jīng)可以做到運動、振動、角速度、溫度、濕度等的控制和校準，目前在可穿戴式設備上應用廣泛。

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