PDP驅(qū)動電路的電壓高壓脈沖
發(fā)布時間:2020/10/31 12:10:41 訪問次數(shù):946
在PDP的總功耗中,并非只有氣體放電功耗,因為在PDP的驅(qū)動電路中,需要大功率、高頻開關電路來為PDP提供氣體放電所需要的各種高壓脈沖,雖然PDP顯示屏的寄生電容并不消耗能量,但是它們的充電與放電將導致在電路的電阻及電極引線電阻中的能量耗損。
PDP驅(qū)動電路的電壓幅值為負幾十伏到正幾百伏左右,工作頻率100~233kHz,驅(qū)動電路的設計選型對PDP整機系統(tǒng)的畫面質(zhì)量、工作效率等尤為重要。
AwD方法——即“尋址的同時顯示”。尋址、維持、擦除脈沖組合在一起施加,可降低尋址電壓,從而降低無用功耗。由于維持時間占據(jù)了一個子場的大部分時間,故維持脈沖的頻率可以降低。
產(chǎn)品種類: 開關穩(wěn)壓器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFN-40
輸出電壓: 250 mV to 5.5 V
輸出電流: 40 A
輸出端數(shù)量: 1 Output
最大輸入電壓: 16 V
拓撲結構: Buck
最小輸入電壓: 2.95 V
開關頻率: 225 kHz to 1.5 MHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TPS546D24
封裝: Reel
輸入電壓: 2.95 V to 16 V
類型: PMBus Buck Converter
商標: Texas Instruments
關閉: No Shutdown
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 2.95 V
在PDP的驅(qū)動電路中,尋址驅(qū)動電路的頻率最高,除了在尋址驅(qū)動電路中使用能量恢復技術之外,降低尋址驅(qū)動電路的脈沖電壓也可以顯著降低尋址功耗。降低尋址電壓脈沖可采用以下幾種方法。
為了滿足高壓器件工作性能的需求,降低高壓驅(qū)動部分的無用功耗,PDP驅(qū)動IC在設計和工藝上需采取如下比普通的集成電路更為嚴格的控制措施。
采用SOI工藝結構,與常規(guī)功率模塊相比能量損耗可大大降低
采用介質(zhì)隔離,使驅(qū)動IC內(nèi)部的輸出嵌位二極管可避免串擾現(xiàn)象
對于內(nèi)部元器件結構和布局等給予特殊地處理,利用內(nèi)部控制可消除高壓開關時的穿透電流

(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)
在PDP的總功耗中,并非只有氣體放電功耗,因為在PDP的驅(qū)動電路中,需要大功率、高頻開關電路來為PDP提供氣體放電所需要的各種高壓脈沖,雖然PDP顯示屏的寄生電容并不消耗能量,但是它們的充電與放電將導致在電路的電阻及電極引線電阻中的能量耗損。
PDP驅(qū)動電路的電壓幅值為負幾十伏到正幾百伏左右,工作頻率100~233kHz,驅(qū)動電路的設計選型對PDP整機系統(tǒng)的畫面質(zhì)量、工作效率等尤為重要。
AwD方法——即“尋址的同時顯示”。尋址、維持、擦除脈沖組合在一起施加,可降低尋址電壓,從而降低無用功耗。由于維持時間占據(jù)了一個子場的大部分時間,故維持脈沖的頻率可以降低。
產(chǎn)品種類: 開關穩(wěn)壓器
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFN-40
輸出電壓: 250 mV to 5.5 V
輸出電流: 40 A
輸出端數(shù)量: 1 Output
最大輸入電壓: 16 V
拓撲結構: Buck
最小輸入電壓: 2.95 V
開關頻率: 225 kHz to 1.5 MHz
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: TPS546D24
封裝: Reel
輸入電壓: 2.95 V to 16 V
類型: PMBus Buck Converter
商標: Texas Instruments
關閉: No Shutdown
濕度敏感性: Yes
產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators
工廠包裝數(shù)量: 2500
子類別: PMIC - Power Management ICs
電源電壓-最小: 2.95 V
在PDP的驅(qū)動電路中,尋址驅(qū)動電路的頻率最高,除了在尋址驅(qū)動電路中使用能量恢復技術之外,降低尋址驅(qū)動電路的脈沖電壓也可以顯著降低尋址功耗。降低尋址電壓脈沖可采用以下幾種方法。
為了滿足高壓器件工作性能的需求,降低高壓驅(qū)動部分的無用功耗,PDP驅(qū)動IC在設計和工藝上需采取如下比普通的集成電路更為嚴格的控制措施。
采用SOI工藝結構,與常規(guī)功率模塊相比能量損耗可大大降低
采用介質(zhì)隔離,使驅(qū)動IC內(nèi)部的輸出嵌位二極管可避免串擾現(xiàn)象
對于內(nèi)部元器件結構和布局等給予特殊地處理,利用內(nèi)部控制可消除高壓開關時的穿透電流

(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝)