浮動(dòng)電極功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路

發(fā)布時(shí)間:2020/10/31 12:12:47 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):2193

PDP用熒光粉和熒光燈用熒光粉非常相似，PDP主要使用的熒光粉有Y2O3∶Eu紅粉、(Gd,Y)BO3∶Eu紅粉、Zn2SiO4∶Mn和BaAl12O19∶Mn綠粉以及BaMgAl14O23∶Eu和MgBaAl10O17∶Eu藍(lán)粉。(Gd,Y)BO3∶Eu粉和BaAl12O19∶Mn粉的衰減時(shí)間偏長(zhǎng)，Zn2SiO4∶Mn的衰減時(shí)間對(duì)實(shí)際應(yīng)用而言就更長(zhǎng)了，因此需研究開(kāi)發(fā)新的發(fā)光材料。

熒光粉材料直接影響著PDP電視的發(fā)光效率和整機(jī)壽命。通常等離子電視的壽命指標(biāo)是指亮度降到一半時(shí)的時(shí)間。目前新一代長(zhǎng)壽命、高亮度的PDP專(zhuān)用熒光粉已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商品化。

增加電極間隙來(lái)提高PDP的亮度和發(fā)光效率是一項(xiàng)非常有效的措施，但電極間隙增大，所需的工作電壓會(huì)隨之提高。為解決這一問(wèn)題，可在維持和掃描電極(X電極和Y電極)中間增加一個(gè)浮動(dòng)電極F。

制造商: Texas Instruments

產(chǎn)品種類(lèi): 激光驅(qū)動(dòng)器

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: ONET4291VA

數(shù)據(jù)速率: 4.25 Gb/s

工作電源電壓: 2.9 V to 3.6 V

工作電源電流: 46 mA

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

封裝 / 箱體: QFN-20

封裝: Reel

高度: 0.93 mm

長(zhǎng)度: 4 mm

工作溫度范圍: - 40 C to + 85 C

類(lèi)型: Multirate VCSEL Driver

寬度: 4 mm

商標(biāo): Texas Instruments

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類(lèi)型: Laser Drivers

工廠(chǎng)包裝數(shù)量: 2500

子類(lèi)別: Driver ICs

單位重量: 50 mg

MOS管的選型選擇參數(shù)合適的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）可使驅(qū)動(dòng)電路能夠高效率、穩(wěn)定地工作，且壽命滿(mǎn)足要求。要求MOSFET的過(guò)渡要足夠快，以便減少開(kāi)關(guān)損耗；導(dǎo)通電阻足夠小，以便減少導(dǎo)通損耗；關(guān)斷電阻足夠大，以便提高隔離作用。

漏源導(dǎo)通電阻Rds(on)、反向恢復(fù)時(shí)間trr、輸入電容Ciss和柵極總電荷Qg需認(rèn)真考慮。低的導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通損耗，特別是與“能量回收電路”相關(guān)的MOS管，低的導(dǎo)通電阻有助于提高能量回收的效率，降低PDP的功耗。trr、Ciss、Qg影響MOSFET的開(kāi)關(guān)速度，低的參數(shù)值能夠加快MOSFET的轉(zhuǎn)換過(guò)程，有助于減少M(fèi)OSFET的開(kāi)關(guān)損耗。

浮動(dòng)電極在單元工作期間不加電壓信號(hào)，但在單個(gè)維持電壓脈沖期間，其上會(huì)產(chǎn)生一定的感應(yīng)電勢(shì)。