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MC34262的功率因數(shù)校正電路

發(fā)布時(shí)間:2020/10/31 12:15:31 訪問次數(shù):868

在半個(gè)工頻周期內(nèi),只有一部分時(shí)間電感LB的電流連續(xù)工作,當(dāng)輸入電壓為交流正弦波時(shí),其輸入電流為一含有高頻紋波的近似正弦波。兩者相位基本相同,從而提高了輸入端的功率因數(shù)。

可采用MC34262等功率因數(shù)控制芯片來進(jìn)行有源功率因數(shù)校正。

交流市電經(jīng)過全波整流后的直流電壓經(jīng)分壓,輸入控制芯片內(nèi)乘法器的一個(gè)輸入端,而誤差放大器輸出電壓加到乘法器另一個(gè)輸入端。在較大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi),乘法器的傳輸曲線為線性。乘法器輸出電壓控制電流取樣比較器的門限電壓,當(dāng)電壓大于此門限電壓時(shí),電感釋放能量。

門限電壓近似與輸入電壓成正比,即與交流市電經(jīng)過全波整流后的直流電壓近似成正比關(guān)系。當(dāng)電感中電流降為零,此時(shí)電感開始儲(chǔ)能。其平均電流呈現(xiàn)與市電電壓同相位的正弦波,可使得功率因數(shù)接近于“1”。

制造商: Texas Instruments產(chǎn)品種類: 開關(guān)穩(wěn)壓器安裝風(fēng)格: SMD/SMT封裝 / 箱體: SOIC-8輸出電壓: 1.2 V to 90 V輸出電流: 500 mA輸出端數(shù)量: 1 Output最大輸入電壓: 100 V拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Buck最小輸入電壓: 6 V開關(guān)頻率: 1 MHz最小工作溫度: - 40 C最大工作溫度: + 150 C系列: LM5163封裝: Cut Tape封裝: Reel輸入電壓: 6 V to 100 V靜態(tài)電流: 600 uA類型: DC/DC Converter商標(biāo): Texas Instruments關(guān)閉: No Shutdown濕度敏感性: Yes產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators工廠包裝數(shù)量: 2500子類別: PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小: 6 V單位重量: 97.300 mg



低的Ciss和Qg參數(shù),能夠減少M(fèi)OSFET柵極的驅(qū)動(dòng)功率,簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。

柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS管開關(guān)損耗的外界因素,優(yōu)良的柵極驅(qū)動(dòng)電路與高性能的MOSFET相結(jié)合,才能制作出高性能的PDP驅(qū)動(dòng)電路。

由于F電極與其兩側(cè)的X、Y電極的間距很小,因而在這兩個(gè)間隙處容易首先產(chǎn)生放電。在它們的導(dǎo)引作用下,引起X、Y之間的長間隙放電,從而可降低PDP所需的維持電壓。

包括邏輯控制部分、主芯板等,都需要充分考慮降低無用功耗的問題,可以在邏輯控制部分采用門控時(shí)鐘的方式,待機(jī)狀態(tài)下關(guān)閉一切內(nèi)部寄存器的動(dòng)作,以此達(dá)到消除無用功耗的目的。

降低PDP功耗可以從多個(gè)角度考慮,正確的做法是多管齊下,齊頭并進(jìn),從電源、驅(qū)動(dòng)方式、熒光粉材料、放電室結(jié)構(gòu)和新型高壓工藝等多方面著手,以求達(dá)到最大程度的效率提高。


(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)



在半個(gè)工頻周期內(nèi),只有一部分時(shí)間電感LB的電流連續(xù)工作,當(dāng)輸入電壓為交流正弦波時(shí),其輸入電流為一含有高頻紋波的近似正弦波。兩者相位基本相同,從而提高了輸入端的功率因數(shù)。

可采用MC34262等功率因數(shù)控制芯片來進(jìn)行有源功率因數(shù)校正。

交流市電經(jīng)過全波整流后的直流電壓經(jīng)分壓,輸入控制芯片內(nèi)乘法器的一個(gè)輸入端,而誤差放大器輸出電壓加到乘法器另一個(gè)輸入端。在較大動(dòng)態(tài)范圍內(nèi),乘法器的傳輸曲線為線性。乘法器輸出電壓控制電流取樣比較器的門限電壓,當(dāng)電壓大于此門限電壓時(shí),電感釋放能量。

門限電壓近似與輸入電壓成正比,即與交流市電經(jīng)過全波整流后的直流電壓近似成正比關(guān)系。當(dāng)電感中電流降為零,此時(shí)電感開始儲(chǔ)能。其平均電流呈現(xiàn)與市電電壓同相位的正弦波,可使得功率因數(shù)接近于“1”。

制造商: Texas Instruments產(chǎn)品種類: 開關(guān)穩(wěn)壓器安裝風(fēng)格: SMD/SMT封裝 / 箱體: SOIC-8輸出電壓: 1.2 V to 90 V輸出電流: 500 mA輸出端數(shù)量: 1 Output最大輸入電壓: 100 V拓?fù)浣Y(jié)構(gòu): Buck最小輸入電壓: 6 V開關(guān)頻率: 1 MHz最小工作溫度: - 40 C最大工作溫度: + 150 C系列: LM5163封裝: Cut Tape封裝: Reel輸入電壓: 6 V to 100 V靜態(tài)電流: 600 uA類型: DC/DC Converter商標(biāo): Texas Instruments關(guān)閉: No Shutdown濕度敏感性: Yes產(chǎn)品類型: Switching Voltage Regulators工廠包裝數(shù)量: 2500子類別: PMIC - Power Management ICs電源電壓-最小: 6 V單位重量: 97.300 mg



低的Ciss和Qg參數(shù),能夠減少M(fèi)OSFET柵極的驅(qū)動(dòng)功率,簡化柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)。

柵極驅(qū)動(dòng)電路是影響MOS管開關(guān)損耗的外界因素,優(yōu)良的柵極驅(qū)動(dòng)電路與高性能的MOSFET相結(jié)合,才能制作出高性能的PDP驅(qū)動(dòng)電路。

由于F電極與其兩側(cè)的X、Y電極的間距很小,因而在這兩個(gè)間隙處容易首先產(chǎn)生放電。在它們的導(dǎo)引作用下,引起X、Y之間的長間隙放電,從而可降低PDP所需的維持電壓。

包括邏輯控制部分、主芯板等,都需要充分考慮降低無用功耗的問題,可以在邏輯控制部分采用門控時(shí)鐘的方式,待機(jī)狀態(tài)下關(guān)閉一切內(nèi)部寄存器的動(dòng)作,以此達(dá)到消除無用功耗的目的。

降低PDP功耗可以從多個(gè)角度考慮,正確的做法是多管齊下,齊頭并進(jìn),從電源、驅(qū)動(dòng)方式、熒光粉材料、放電室結(jié)構(gòu)和新型高壓工藝等多方面著手,以求達(dá)到最大程度的效率提高。


(素材來源:chinaaet和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)



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