DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。 

動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。

DRAM數(shù)據(jù)線3管動態(tài)RAM的基本存儲電路所示。在這個電路中，讀選擇線和寫選擇線是分開的，讀數(shù)據(jù)線和寫數(shù)據(jù)線也是分開的。

寫操作時，寫選擇線為“1”，所以Q1導通，要寫入的數(shù)據(jù)通過Q1送到Q2的柵極，并通過柵極電容在一定時間內保持信息。

IO口全部引出，經典51小系統(tǒng)，省去焊接的麻煩

集成ISP 10P下載接口，方便下載AT89S52單片機。

焊接的是圓孔插座，方便更換晶振

支持芯片：STC89C52 STC12C5A60S2  STC11/10x系列  AT89S52及與上述芯片引腳兼容的芯片

一個電源開關，方便實驗。

電源輸入2種方式： DC-005電源座（配套座子是5.5*2.1）和單排針（電源開關旁邊）

外擴3路VCC,GND,如圖中排針所示。

P0口帶上拉電阻。

復位方式：上電復位和外部按鍵復位。

采用綠色IC鎖座，方便更換芯片。

自主開發(fā)生產，供貨長期穩(wěn)定。

板子尺寸：4.1cm*8.9cm

電路以浮空柵極是否帶電來表示存1或者0，浮空柵極帶電后(例如負電荷)，就在其下面，源極和漏極之間感應出正的導電溝道，使MOS管導通，即表示存入0.若浮空柵極不帶電，則不能形成導電溝道，MOS管不導通，即存入1。

EEPROM基本存儲單元電路的工作原理所示。與EPROM相似，它是在EPROM基本單元電路的浮空柵極的上面再生成一個浮空柵，前者稱為第一級浮空柵，后者稱為第二級浮空柵�？山o第二級浮空柵引出一個電極，使第二級浮空柵極接某一電壓VG。

NAND不能同時執(zhí)行讀寫操作，它可以采用稱為“映射(shadowing)”的方法，在系統(tǒng)級實現(xiàn)這一點。這種方法在個人電腦上已經沿用多年，即將BIOS從速率較低的ROM加載到速率較高的RAM上。

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