閃存的基本單元電路與EEPROM類似，也是由雙層浮空柵MOS管組成。但是第一層?xùn)沤橘|(zhì)很薄，作為隧道氧化層。寫入方法與EEPROM相同，在第二級浮空柵加正電壓，使電子進(jìn)入第一級浮空柵。讀出方法與EPROM相同。

擦除方法是在源極加正電壓利用第一級浮空柵與漏極之間的隧道效應(yīng)，將注入到浮空柵的負(fù)電荷吸引到源極。由于利用源極加正電壓擦除，因此各單元的源極聯(lián)在一起，這樣，擦除不能按字節(jié)擦除，而是全片或者分塊擦除。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的改進(jìn)，閃存也實(shí)現(xiàn)了單晶體管設(shè)計(jì)，主要就是在原有的晶體管上加入浮空柵和選擇柵.

NAND閃存陣列分為一系列128kB的區(qū)塊(block)，這些區(qū)塊是NAND器件中最小的可擦除實(shí)體。擦除一個(gè)區(qū)塊就是把所有的位(bit)設(shè)置為“1”(而所有字節(jié)(byte)設(shè)置為FFh)。有必要通過編程，將已擦除的位從“1”變?yōu)椤?”。最小的編程實(shí)體是字節(jié)(byte)。一些NOR閃存能同時(shí)執(zhí)行讀寫操作。

將被測電芯充電至一定荷電狀態(tài)，并維持一段時(shí)間的開路擱置 ，然后對電芯進(jìn)行放電以確定電芯的容量損失 。自放電率為 ：

式中：C為電池的額定容量;C1為放電容量。開路擱置后，對電芯放電可以獲得電芯的剩余容量。此時(shí)，再次對電芯進(jìn)行多次充放電循環(huán)操作，確定電蒜此時(shí)的滿容量。此方法可以確定電池不可逆容量損失與可逆容量損失。

開路電壓衰減率測量法,開路電壓與電池荷電狀態(tài)SOC有直接關(guān)系，只需要測量一段時(shí)間內(nèi)電池的OCV的變化率，即：

該方法操作簡單，只需記錄任意時(shí)問段內(nèi)電池的電壓，進(jìn)而根據(jù)電壓與電池SOC的對應(yīng)關(guān)系即可得出該時(shí)刻電池的荷電狀態(tài)。通過電壓的衰減斜率以及單位時(shí)間所對應(yīng)的衰減容量的計(jì)算，最終可得到電池的自放電率。

容量保持法測量電池期望保持的開路電壓或者SOC所需要的電量，得出電池的自放電率。即測量保持電池開路電壓時(shí)的充電電流，電池自放電率可以認(rèn)為是測量得到的充電電流。

自放電率快速測量方法,由于傳統(tǒng)測量方法所需時(shí)間較長，且測量精度不足，因此自放電率在電池檢測過程中大多情況下只是作為一種篩選電池是否合格的方法。大量新穎方便的測量新方法的出現(xiàn)，為電池自放電的測量節(jié)省了大量時(shí)間和精力。

數(shù)字控制技術(shù)是利用單片機(jī)等，在傳統(tǒng)自放電測量方法的基礎(chǔ)上衍生出的新型自放電測量方法。該方法具有測量花費(fèi)時(shí)間短，精度高，設(shè)備簡單等優(yōu)點(diǎn)。

等效電路法是一種全新的自放電測量方法，該方法將電池模擬成一個(gè)等效電路，可快速有效地測量鋰離子電池的自放電率 。

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