過采樣技術(shù)在Σ-Δ ADC架構(gòu)設(shè)計中有很長的歷史。Σ-Δ ADC由Σ調(diào)制器和隨后的數(shù)字信號算法模塊(或數(shù)字濾波器)構(gòu)成。Σ調(diào)制器可以小至一位量化器，用以采集成千上萬的樣本，然后對這些樣本進(jìn)行抽取以實(shí)現(xiàn)高分辨率轉(zhuǎn)換結(jié)果。參與平均的樣本越多，可獲得的分辨率越高，因而轉(zhuǎn)換結(jié)果越接近于采樣值。常見的Σ-Δ應(yīng)用有溫度監(jiān)視和電子秤測量系統(tǒng)。

Σ-Δ ADC架構(gòu)依賴于以比目標(biāo)帶寬高得多的速率對較小電荷進(jìn)行采樣。它采集的樣本更多，但每次獲取的電荷更小。典型Σ-Δ ADC的過采樣范圍介于目標(biāo)信號的32倍至1000倍之間。過采樣與噪聲整形(調(diào)制方案)相結(jié)合的結(jié)果將帶內(nèi)噪聲移到目標(biāo)帶寬之外。移至更高帶寬的噪聲隨后通過數(shù)字濾波濾除。結(jié)果是目標(biāo)帶寬中的噪聲更低且分辨率更高。Σ-Δ ADC的每次轉(zhuǎn)換結(jié)果都是較小但更頻繁的采樣事件所產(chǎn)生的。

NIPPON CHEMI-CON的主要產(chǎn)品包括鋁電解電容，導(dǎo)電高分子固態(tài)電容，混合型鋁電解電容，多層陶瓷電容，薄膜電容，陶瓷壓敏電阻，超級電容等。

鋁電解電容的特點(diǎn)：

分為貼片型，引線型，基板自立型(牛角電容)，螺絲端子型;

常規(guī)品范圍在105℃~150℃， 1,000小時- 12000小時壽命保證，額定電壓范圍：4V～700V;

尺寸范圍最小規(guī)格貼片型電容φ4*5.2L,容量范圍從0.1uF~680000uF。

導(dǎo)電高分子固態(tài)電容(貼片+引線)的特點(diǎn)：

高分子材料并結(jié)合傳統(tǒng)電容的結(jié)構(gòu)制式的柱狀電容具有超高導(dǎo)電性(超低ESR，高紋波)，導(dǎo)熱性，高容量，低阻抗長壽命的高可靠性;

電壓范圍2.5V~25V，容量范圍10uF~2200uf，壽命最高長達(dá)20000h;

回流焊CV值較低，良率高。

黑金剛混合型電容(貼片+引線)、多層陶瓷電容器(MLCC)、壓敏電阻TNR性能及特點(diǎn)，NCC黑金剛混合/固態(tài)/鋁電解/陶瓷電容，不燃壓敏電阻，20000h長壽命，150℃耐高溫，10mΩ低ESR.

SAR ADC利用逐次逼近來確定結(jié)果。SAR ADC通過逐步方法來確定數(shù)字表示的每個比特在單個采樣瞬間是什么。SAR采樣電荷再分配電容和數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)陣列。采樣數(shù)據(jù)與每個二進(jìn)制加權(quán)電容陣列進(jìn)行比較。二進(jìn)制加權(quán)電容的總數(shù)決定了SAR ADC的位數(shù)或分辨率。轉(zhuǎn)換過程由高速內(nèi)部時鐘和容性DAC陣列控制，能夠快速轉(zhuǎn)換變化的信號。SAR ADC用于需要寬帶寬的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)。

SAR ADC通常轉(zhuǎn)換單個時刻，以提供與特定時刻有關(guān)的數(shù)字答案。過采樣的使用隨著更快速SAR轉(zhuǎn)換器的出現(xiàn)而增加，目的是提高關(guān)鍵目標(biāo)帶寬的分辨率。在當(dāng)今使用過采樣技術(shù)的SAR ADC中，該技術(shù)常常是通過微控制器或現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)上的后處理執(zhí)行的。