陶瓷儲能電容器靠近芯片布置，使得高 △l/△t 的輸入和輸出環(huán)路結(jié)構(gòu)非常緊湊。

為敏感的高阻抗芯片地設計一塊單獨的AGND）（僅PIN30 連接到 PGND。

自舉電路靠近芯片放置。

電流檢測環(huán)路按差分線路布線，獲得干凈的開爾文連接。

通過寬帶 pi 濾波器為IC提供干凈的電源。

通過增加內(nèi)部和底部PGND層間的地過孔數(shù)量，實現(xiàn)低阻抗連接。

大面積覆銅可以作為良好的散熱片并提供低 RDC，但不得超過必要的面積，特別是在兩個“熱”△U/△t 開關節(jié)點上，以免形成不必要的天線。

PCB 底層布局分析,優(yōu)化后的升降壓轉(zhuǎn)換器的底層布局圖，包括四個功率MOSFET、剩余的儲能電容器、旁路和續(xù)流二極管。

一個模塊化開發(fā)套件，用于構(gòu)建符合成本效益的工業(yè) LED 照明解決方案原型。該平臺非常節(jié)能 ，具有無線控制（開/關、調(diào)光等）和兩個獨立控制的 LED 通道，最大亮度達到 7000 流明。

基礎平臺由四個組件組成：

LED 模塊，支持 2 串（暖白色和冷白色） 16 顆 LED

采用 RSL10 SIP的藍牙 (R) 低功耗連接板

AC/DC 電源板（輸入電壓 AC：90 - 270V，輸出電壓 DC：55V，輸出電力功率：70W，滿載時功率因數(shù) > 0.99）

采用 FL7760 的LED驅(qū)動器板（調(diào)光至 0.6%，遙測數(shù)據(jù)，12位PWM）

使用 RSL10 Sense and control 移動應用 (IoS、Google Play) 或web客戶端，提供多種 LED 控制功能。該平臺由一個全面的開發(fā)環(huán)境提供支持，包括可定制固件的 CMSIS-Pack、免費的 RTOS 和各種用例。

PoE 電源模塊可單獨用于高達 90 W 的以太網(wǎng)供電 (PoE) 連接。

在靠近FET的位置布置陶瓷儲能電容器，使得高 △l/△t的輸入和輸出環(huán)路結(jié)構(gòu)非常緊湊。

對稱布局和覆銅處理意味著 FET 之間以及 FET 與旁路二極管之間的連接的阻抗和電感極低。

具反向幾何形狀的電流分路器，可進一步降低寄生電感；

因此，HF 電流環(huán)路也可減至最小。

由于沒有其它大型器件阻礙熱連接，因此 PCB 底面上的半導體可以得到更好的冷卻。

超快恢復肖特基二極管緊鄰相應的 FET 布置。

大面積覆銅可以作為良好的散熱片并提供低 RDC，但不得超過必要的面積，特別是在兩個“熱”△U/△t 開關節(jié)點上，以免形成不必要的天線。

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