漏源擊穿電壓BUDS。也稱漏源耐壓值，是當(dāng)場效應(yīng)管的漏源電壓UDS增大到一定數(shù)值時，使漏極電流ID突然增大且不受柵極電壓控制時的最大漏源電壓。

柵源擊穿電壓BUGS。是場效應(yīng)管的柵、源極之間能承受的最大上作電壓。

耗散功率PD 也稱漏極耗散功率，該值約等于漏源電壓UDS與漏極電流ID的乘積。

漏泄電流IGSS 是場效應(yīng)管的柵—溝道結(jié)施加反向偏壓時產(chǎn)生的反向電流。

直流輸入電阻RGS 也稱柵源絕緣電阻，是場效應(yīng)管柵—溝道在反偏電壓作用下的電阻值，約等于柵源電壓UGS與柵極電流的比值。

漏源動態(tài)電阻RDS 是漏源電壓UDS的變化量與漏極電流ID的變化量之比，一般為數(shù)千歐以上。

低頻跨導(dǎo)gm 也稱放大特性，是柵極電壓UG對漏極電流ID的控制能力，類似于三極管的電流放大倍數(shù)β值。

極間電容 是場效應(yīng)管各極之間分布電容形成的雜散電容。柵源極電容(輸入電容)CGS和柵漏極電容cGD的電容量為1~3pF，漏源極電容CDS的電容量為0.1~1pF。

隨著LED芯片技術(shù)和制程、封裝、LED光源制造和配套產(chǎn)業(yè)的生產(chǎn)制造技術(shù)更新迭代迅速，LED產(chǎn)品功能的不斷完善、產(chǎn)品市場滲透率不斷提高，LED技術(shù)的進步與市場的不斷成熟推動了LED市場的快速發(fā)展，預(yù)計到2020年，中國LED行業(yè)總體產(chǎn)值將突破10000億元，隨著產(chǎn)品的進步和LED行業(yè)不斷擴大，未來太陽節(jié)律照明產(chǎn)品在LED市場滲透率將會快速提高，將LED行業(yè)帶入更加健康時代，將LED產(chǎn)品帶入太陽節(jié)律時代。

通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時對應(yīng)的柵一源電壓稱為開啟電壓，用UGS(th)或UT表示。

開啟電壓UT是MOS增強型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開啟電壓的絕對值時，場效應(yīng)管不能導(dǎo)通。

當(dāng)UDS為某一固定值(如10V)，使ID等于某一微小電流(如50mA)時，柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS=UP時，漏極電流為零。

飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下，場效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時的漏極電流。IDSS型場效應(yīng)管所能輸出的最大電流。

直流輸入電阻RGS是漏一源短路，柵一源加電壓時柵一源極 之間的直流電阻。

結(jié)型場效應(yīng)管：RGS>>107ΩMOS管：RGS>>109～1015Ω。

漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比，即gm=△ID/△UGS。它是衡量場效應(yīng)管柵一源電壓對漏極電流控制能力的一個參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。

最大漏極功耗PD=UDSID，相當(dāng)于三極管的PCM。

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