一個(gè)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的通用模型，這個(gè)模型包括兩級存儲(chǔ)，其存儲(chǔ)容量差距約1000倍：

如果將上圖中每一個(gè)計(jì)算模塊理解為一個(gè)計(jì)算內(nèi)核，那么高速存儲(chǔ)單元?jiǎng)t是CPU內(nèi)的緩存(單位為KB~MB)，海量存儲(chǔ)單元?jiǎng)t是內(nèi)存(單位為GB);如果把每一個(gè)計(jì)算模塊理解為一個(gè)CPU，那么高速存儲(chǔ)單元?jiǎng)t是內(nèi)存(單位為GB~TB)，海量存儲(chǔ)是物理硬盤或通過網(wǎng)絡(luò)映射給服務(wù)器的邏輯卷(或網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng)，單位為TB~PB);如果把計(jì)算模塊理解為針對某一項(xiàng)任務(wù)或某一組任務(wù)提供計(jì)算能力的服務(wù)器集群，把SAN或NAS等擁有TB~PB級存儲(chǔ)規(guī)模的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)設(shè)備理解為高速存儲(chǔ)單元，那么具備PB~EB級存儲(chǔ)容量的海量存儲(chǔ)單元將基于什么技術(shù)和產(chǎn)品.

SAN和NAS技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)了數(shù)十年，目前單臺SAN或NAS設(shè)備最大容量已經(jīng)達(dá)到PB級別，但在應(yīng)對EB級數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)時(shí)，還是顯得有些力不從心。這主要由于其架構(gòu)和服務(wù)接口決定的。

制造商:Diodes Incorporated 產(chǎn)品種類:肖特基二極管與整流器 RoHS: 詳細(xì)信息 產(chǎn)品:Schottky Diodes 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:POWERDI-5 配置:Single Dual Anode 技術(shù):Si If - 正向電流:3 A Vrrm - 重復(fù)反向電壓:200 V Vf - 正向電壓:0.88 V Ifsm - 正向浪涌電流:180 A Ir - 反向電流 :10 uA 最小工作溫度:- 65 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:PDS3200 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 高度:1.15 mm 長度:4.05 mm 端接類型:Through Hole 類型:Schottky Barrier Rectifier 寬度:5.45 mm 商標(biāo):Diodes Incorporated 產(chǎn)品類型:Schottky Diodes & Rectifiers 工廠包裝數(shù)量:5000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:96 mg

SAN使用SCSI協(xié)議作為底層協(xié)議，SCSI協(xié)議管理的粒度非常小，通常以字節(jié)(byte)或千字節(jié)(KB)為單位;同時(shí)SCSI協(xié)議沒有提供讀寫鎖機(jī)制以確保不同應(yīng)用并發(fā)讀寫時(shí)的數(shù)據(jù)一致性，因此難以實(shí)現(xiàn)EB級存儲(chǔ)資源管理和多個(gè)服務(wù)器/服務(wù)器集群之間數(shù)據(jù)共享。

NAS使用文件協(xié)議訪問數(shù)據(jù)，通過文件協(xié)議存儲(chǔ)設(shè)備能夠準(zhǔn)確識別數(shù)據(jù)內(nèi)容，并提供了非常豐富的文件訪問接口，包括復(fù)雜的目錄/文件的讀寫鎖。文件和目錄采用樹形結(jié)構(gòu)管理，每個(gè)節(jié)點(diǎn)使用一種叫做inode的結(jié)構(gòu)進(jìn)行管理，每一個(gè)目錄和文件都對應(yīng)一個(gè)iNode。目錄深度或同一目錄下的子節(jié)點(diǎn)數(shù)隨著整體文件數(shù)量的增加而快速增加，通常文件數(shù)量超過億級時(shí)，文件系統(tǒng)復(fù)雜的鎖機(jī)制及頻繁的元數(shù)據(jù)訪問將極大降低系統(tǒng)的整體性能。

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