數(shù)據(jù)健壯性的基礎(chǔ)上大大減少需要的存儲空間。不過Erasure Code并非適應(yīng)所有的場景，尤其不適合網(wǎng)絡(luò)延遲敏感的業(yè)務(wù)( 不過Erasure Code并非適應(yīng)所有的場景，尤其不適合網(wǎng)絡(luò)延遲敏感的業(yè)務(wù)))

SNIA(網(wǎng)絡(luò)存儲工業(yè)協(xié)會)定義的對象存儲設(shè)備是這樣的：

對象是自完備的，包含元數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)和屬性

存儲設(shè)備可以自行決定對象的具體存儲位置和數(shù)據(jù)的分布

存儲設(shè)備可以對不同的對象提供不同的QoS

對象存儲設(shè)備相對于塊設(shè)備有更高的“智能”，上層通過對象ID來訪問對象，而無需了解對象的具體空間分布情況

換句話說對象存儲是智能化、封裝得更好的塊，是“文件”或其他應(yīng)用級邏輯結(jié)構(gòu)的組成部分，文件與對象的對應(yīng)關(guān)系由上層直接控制，對象存儲設(shè)備本身也可能是個分布式的系統(tǒng)——這就是分布式對象存儲系統(tǒng)了。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-247-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV Id-連續(xù)漏極電流:6 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.4 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 30 V, + 30 V Qg-柵極電荷:34 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:150 W 通道模式:Enhancement 封裝:Tube 配置:Single 系列:STW6N120K3 晶體管類型:1 N-Channel 商標(biāo):STMicroelectronics 下降時間:32 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:12 ns 工廠包裝數(shù)量:600 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:58 ns 典型接通延遲時間:30 ns 單位重量:38 g

對象存儲技術(shù)的出現(xiàn)和大量自動化管理技術(shù)的產(chǎn)生，使得“超級數(shù)據(jù)圖書館”不再是人類遙不可及的夢想。對象存儲系統(tǒng)(Object-Based Storage System)改進(jìn)了SAN和NAS存儲的劣勢，保留了NAS的數(shù)據(jù)共享等優(yōu)勢，通過高級的抽象接口替代了SCSI存儲塊和文件訪問接口(不同地區(qū)的用戶訪問不同的POSIX文件系統(tǒng)，不僅浪費時間，而且讓運維管理變的更復(fù)雜。相對而言，分布式存儲系統(tǒng)的優(yōu)勢明顯。在分布式存儲系統(tǒng)上做應(yīng)用開發(fā)更便利，易維護(hù)和擴(kuò)容，自動負(fù)載平衡。

以 RESTful HTTP接口代替了POSIX接口和QEMU Driver接口)，屏蔽了存儲底層的實現(xiàn)細(xì)節(jié)，將NAS垂直的樹形結(jié)構(gòu)改變成平等的扁平結(jié)構(gòu)，從而提高了擴(kuò)展性、增強了可靠性、具備了平臺無關(guān)性等重要存儲特性。(Erasure Code： 是將文件轉(zhuǎn)換成一個碎片集合，每一個碎片很小，碎片被打散分布到一組服務(wù)器資源池里。只要存留的碎片數(shù)量足夠，就可以合成為原本的文件。

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