CoolSiC MOSFET與逆變器混合模塊99μA/MHz的電源效率
發(fā)布時(shí)間:2020/11/24 23:42:20 訪問(wèn)次數(shù):751
Symo GEN24 Plus太陽(yáng)能逆變器,該逆變器的Multiflow技術(shù)使其適用于支持能源自給自足的各種應(yīng)用。除了提供直接在家庭中使用的電源外,它還具有用于儲(chǔ)能系統(tǒng)的接口;旌夏孀兤鲗闊崴⿷(yīng)系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電而設(shè)計(jì),可以連接到外部系統(tǒng)。
新型太陽(yáng)能逆變器使用德國(guó)Infineon的碳化硅(SiC)CoolSiC MOSFET,效率超過(guò)98%。 Symo GEN24 Plus與比亞迪的高壓存儲(chǔ)系統(tǒng)相結(jié)合,在10kW級(jí)的系統(tǒng)性能指數(shù)(SPI)中達(dá)到了94%的創(chuàng)紀(jì)錄值,其是該組合中唯一能夠?qū)崿F(xiàn)的A級(jí)能效的逆變器。
Fronius的Symo GEN24 Plus太陽(yáng)能逆變器將升壓器和電池輸入中的CoolSiC MOSFET模塊與逆變器級(jí)中的混合模塊結(jié)合在一起。
Renesas Electronics的RA6M4 32位微控制器。RA6M4微控制器結(jié)合出色的連接能力、安全性和性能,能加速邊緣和終端物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備以及電表、HVAC、增強(qiáng)型物業(yè)安全性和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用的開發(fā)。
貿(mào)澤電子供應(yīng)的Renesas RA6M4微控制器采用高效率的40nm制程工藝,在工作模式下提供99 μA/MHz的出色電源效率?刂破鞔钶d一個(gè)200 MHz Arm® Cortex®-M33內(nèi)核,采用Armv8-M架構(gòu)和Arm TrustZone®技術(shù),并內(nèi)置1 MB的代碼閃存、256 KB的SRAM以及電容式觸控感應(yīng)裝置。
RA6M4器件設(shè)計(jì)用于提供優(yōu)異的安全功能,包括帶有多個(gè)加速器、功率分析電阻和篡改偵測(cè)功能的集成式安全加密模塊。
基于軟件的方法將會(huì)實(shí)現(xiàn)通過(guò)設(shè)定數(shù)模轉(zhuǎn)換器,直接在代碼中執(zhí)行配置,而不必因?yàn)楦挠布䦷?lái)不便和費(fèi)用。目標(biāo)應(yīng)用將包括雷達(dá)、衛(wèi)星通信、地面網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等。
這一最新的聲明是在基于EV12DD700的評(píng)估板上發(fā)布的,Teledyne e2v在春季推出了該評(píng)估板,工程師可以通過(guò)該評(píng)估板初步了解性能水平。通過(guò)直接操作樣片,他們將有機(jī)會(huì)親自了解數(shù)模轉(zhuǎn)換器將如何滿足其設(shè)計(jì)并能開開啟技術(shù)移植計(jì)劃。
通過(guò)這些獨(dú)特的數(shù)模轉(zhuǎn)換器設(shè)備,我們正在加速眾所期待的射頻軟件化,這在未來(lái)肯定會(huì)帶來(lái)巨大的效益,F(xiàn)階段的樣片對(duì)于研發(fā)工程師具有極大誘惑力,他們將會(huì)重新考慮如何構(gòu)建數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化的架構(gòu)"
新的EV12DD700數(shù)模轉(zhuǎn)換器將以Hi-TCE封裝格式提供,尺寸為20mm x 20mm。性能穩(wěn)定,可覆蓋-55℃到125℃的溫度使用范圍。

(素材來(lái)源:eccn.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
Symo GEN24 Plus太陽(yáng)能逆變器,該逆變器的Multiflow技術(shù)使其適用于支持能源自給自足的各種應(yīng)用。除了提供直接在家庭中使用的電源外,它還具有用于儲(chǔ)能系統(tǒng)的接口;旌夏孀兤鲗闊崴⿷(yīng)系統(tǒng)和電動(dòng)汽車充電而設(shè)計(jì),可以連接到外部系統(tǒng)。
新型太陽(yáng)能逆變器使用德國(guó)Infineon的碳化硅(SiC)CoolSiC MOSFET,效率超過(guò)98%。 Symo GEN24 Plus與比亞迪的高壓存儲(chǔ)系統(tǒng)相結(jié)合,在10kW級(jí)的系統(tǒng)性能指數(shù)(SPI)中達(dá)到了94%的創(chuàng)紀(jì)錄值,其是該組合中唯一能夠?qū)崿F(xiàn)的A級(jí)能效的逆變器。
Fronius的Symo GEN24 Plus太陽(yáng)能逆變器將升壓器和電池輸入中的CoolSiC MOSFET模塊與逆變器級(jí)中的混合模塊結(jié)合在一起。
Renesas Electronics的RA6M4 32位微控制器。RA6M4微控制器結(jié)合出色的連接能力、安全性和性能,能加速邊緣和終端物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 設(shè)備以及電表、HVAC、增強(qiáng)型物業(yè)安全性和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用的開發(fā)。
貿(mào)澤電子供應(yīng)的Renesas RA6M4微控制器采用高效率的40nm制程工藝,在工作模式下提供99 μA/MHz的出色電源效率?刂破鞔钶d一個(gè)200 MHz Arm® Cortex®-M33內(nèi)核,采用Armv8-M架構(gòu)和Arm TrustZone®技術(shù),并內(nèi)置1 MB的代碼閃存、256 KB的SRAM以及電容式觸控感應(yīng)裝置。
RA6M4器件設(shè)計(jì)用于提供優(yōu)異的安全功能,包括帶有多個(gè)加速器、功率分析電阻和篡改偵測(cè)功能的集成式安全加密模塊。
基于軟件的方法將會(huì)實(shí)現(xiàn)通過(guò)設(shè)定數(shù)模轉(zhuǎn)換器,直接在代碼中執(zhí)行配置,而不必因?yàn)楦挠布䦷?lái)不便和費(fèi)用。目標(biāo)應(yīng)用將包括雷達(dá)、衛(wèi)星通信、地面網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等。
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新的EV12DD700數(shù)模轉(zhuǎn)換器將以Hi-TCE封裝格式提供,尺寸為20mm x 20mm。性能穩(wěn)定,可覆蓋-55℃到125℃的溫度使用范圍。

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