PCIe Express 5.0的高帶寬和CXL 1.1/2.0的低延遲連接
發(fā)布時間:2020/11/25 22:51:37 訪問次數(shù):1260
開發(fā)工具 Microchip發(fā)布了一整套設(shè)計資料、參考設(shè)計、評估板和工具,支持客戶利用PCIe Express 5.0的高帶寬和CXL 1.1/2.0的低延遲連接構(gòu)建系統(tǒng)。Microchip在所有數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品中使用的ChipLink診斷GUI已經(jīng)擴(kuò)展到支持XpressConnect重定時器,可提供廣泛的調(diào)試、診斷、配置和取證工具。
存儲技術(shù)Microchip還為全球數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)者提供全面的系統(tǒng)解決方案,包括存儲器、時序和同步系統(tǒng)、獨立安全啟動、安全固件和身份驗證、無線產(chǎn)品、用于配置和監(jiān)控數(shù)據(jù)中心設(shè)備的觸摸顯示屏,以及預(yù)測性風(fēng)扇控制。低延遲 PCI Express(PCIe®) 5.0 和 Compute Express Link™ (CXL™ )1.1/2.0 等 XpressConnect™ 系列重定時器產(chǎn)品。
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 220 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 468 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
下降時間: 11 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 41 ns
工廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 46 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
單位重量: 1.573 g
根據(jù)ABI Research發(fā)布的數(shù)據(jù),預(yù)計將有約5億臺采用Wi-Fi 4連接的新物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備交付使用。這些設(shè)備需要一直支持WPA3等最新安全標(biāo)準(zhǔn),從而可以提供更強大的身份驗證、更高的加密強度和更具韌性的關(guān)鍵任務(wù)網(wǎng)絡(luò)。使用英飛凌CYW43439解決方案,設(shè)計師既可以提供消費者所需的網(wǎng)絡(luò)連接,同時又能夠利用WPA3安全標(biāo)準(zhǔn)提高產(chǎn)品的安全性。
(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
開發(fā)工具 Microchip發(fā)布了一整套設(shè)計資料、參考設(shè)計、評估板和工具,支持客戶利用PCIe Express 5.0的高帶寬和CXL 1.1/2.0的低延遲連接構(gòu)建系統(tǒng)。Microchip在所有數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品中使用的ChipLink診斷GUI已經(jīng)擴(kuò)展到支持XpressConnect重定時器,可提供廣泛的調(diào)試、診斷、配置和取證工具。
存儲技術(shù)Microchip還為全球數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)者提供全面的系統(tǒng)解決方案,包括存儲器、時序和同步系統(tǒng)、獨立安全啟動、安全固件和身份驗證、無線產(chǎn)品、用于配置和監(jiān)控數(shù)據(jù)中心設(shè)備的觸摸顯示屏,以及預(yù)測性風(fēng)扇控制。低延遲 PCI Express(PCIe®) 5.0 和 Compute Express Link™ (CXL™ )1.1/2.0 等 XpressConnect™ 系列重定時器產(chǎn)品。
制造商: ON Semiconductor
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): SiC
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-7
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 98 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 28 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 220 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 468 W
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
商標(biāo): ON Semiconductor
正向跨導(dǎo) - 最小值: 34 S
下降時間: 11 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 41 ns
工廠包裝數(shù)量: 800
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間: 46 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
單位重量: 1.573 g
根據(jù)ABI Research發(fā)布的數(shù)據(jù),預(yù)計將有約5億臺采用Wi-Fi 4連接的新物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備交付使用。這些設(shè)備需要一直支持WPA3等最新安全標(biāo)準(zhǔn),從而可以提供更強大的身份驗證、更高的加密強度和更具韌性的關(guān)鍵任務(wù)網(wǎng)絡(luò)。使用英飛凌CYW43439解決方案,設(shè)計師既可以提供消費者所需的網(wǎng)絡(luò)連接,同時又能夠利用WPA3安全標(biāo)準(zhǔn)提高產(chǎn)品的安全性。
(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
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