由于可在最低110°C的低溫環(huán)境下去除殘膠，且標(biāo)準(zhǔn)加工支持的溫度范圍廣，該系統(tǒng)可用于半導(dǎo)體和高級(jí)硬盤(pán)應(yīng)用領(lǐng)域的各種特種技術(shù)工藝。得益于業(yè)界領(lǐng)先的高產(chǎn)能（最高350wph）和低占地面積，該系統(tǒng)的生產(chǎn)率表現(xiàn)也非常優(yōu)異。

射頻濾波器的150-mm POI(壓電襯底)經(jīng)歷了初期階段的銷(xiāo)量爬坡，因而銷(xiāo)售量的小幅增長(zhǎng)也推動(dòng)了150/200-mm晶圓銷(xiāo)售額的攀升。

300-mm RF-SOI晶圓的銷(xiāo)售額維持在高位，并繼續(xù)受到仍在增長(zhǎng)的4G市場(chǎng)以及第一代5G智能手機(jī)的部署的支持。R&S®SAM100具有前所未有的高功率輸出，超寬帶寬和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的超低噪聲，可為客戶提供優(yōu)異的微波功率解決方案。

制造商

Vishay Siliconix

制造商零件編號(hào)

SI2302CDS-T1-GE3

描述

MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3

對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）

詳細(xì)描述 表面貼裝-N-溝道-20V-2.6A（Ta）-710mW（Ta）-SOT-23-3（TO-236）

FET 類型 N 溝道

技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 2.6A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓

創(chuàng)新技術(shù)的系統(tǒng)放大器R&S®SAM100，該微波放大器工作頻率可覆蓋2-20GHz，提供了高達(dá)20W的輸出功率，它體積緊湊，設(shè)計(jì)穩(wěn)固，并且操作便捷，樹(shù)立了微波放大器的新標(biāo)準(zhǔn)。

R&S®SAM100面向移動(dòng)無(wú)線電(UMTS、LTE、4G和5G)、物聯(lián)網(wǎng)(WLAN、藍(lán)牙)、衛(wèi)星和雷達(dá)應(yīng)用的微波無(wú)源和有源組件以及微波設(shè)備的制造商。系統(tǒng)放大器進(jìn)行設(shè)計(jì)驗(yàn)證測(cè)試(DVT)的研發(fā)工程師的專業(yè)要求，系統(tǒng)放大器為產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試(PVT)，以及用于射頻產(chǎn)品的生產(chǎn)驗(yàn)證。R&S®SAM100還可以應(yīng)用于EMC測(cè)試，滿足需要測(cè)試高達(dá)18 GHz的EMC測(cè)試實(shí)驗(yàn)室工程師的需求。

R&S®SAM100采用了創(chuàng)新的方法，來(lái)應(yīng)對(duì)系統(tǒng)放大器的挑戰(zhàn)，它結(jié)合了高輸出功率，超寬帶寬和低噪聲。R&S®SAM100采用非常緊湊的臺(tái)式設(shè)計(jì)架構(gòu)，利用外部電源供電，方便用戶在各種場(chǎng)景中獲得高的射頻功率輸出。