意法半導(dǎo)體的MasterGaN方案繞過了這一挑戰(zhàn)，縮短了產(chǎn)品上市時(shí)間，并能獲得預(yù)期的性能，同時(shí)使封裝變得更小、更簡單，電路組件更少，系統(tǒng)可靠性更高。

憑借GaN技術(shù)和意法半導(dǎo)體集成產(chǎn)品的優(yōu)勢，采用新產(chǎn)品的充電器和適配器比普通硅基解決方案縮減尺寸80%，減重70%。

10nm 工藝的Ice Lake-SP至強(qiáng)CPU的IPC將比之前的Cascade Lake至強(qiáng)CPU提高18%，使其能夠與AMD的CPU競爭。

Intel 10nm工藝目前仍然局限于低功耗的輕薄本領(lǐng)域，高性能的游戲本、服務(wù)器都得等明年，其中Ice Lake-SP的第三代可擴(kuò)展至強(qiáng)，英特爾確認(rèn)將在明年第一季度發(fā)布。AMD也將會發(fā)布第三代霄龍，7nm工藝，Zen3架構(gòu)，最多64核心128線程。

采用專用AI ASIC的矩陣架構(gòu)和采用各種FPGA和eASIC產(chǎn)品組合的空間架構(gòu)。英特爾軟件和系統(tǒng)級方法構(gòu)成了這些芯片組件的底層，它們專為擴(kuò)展性能、提升敏捷性、優(yōu)化總體擁有成本和管理公有云、私有云和混合云環(huán)境中的異構(gòu)性而開發(fā)，可發(fā)揮所有組件的優(yōu)勢。

面對未來數(shù)據(jù)洪流的挑戰(zhàn)，建設(shè)以數(shù)據(jù)為中心的基礎(chǔ)設(shè)施、提升邊緣數(shù)據(jù)處理能力、使邊緣越來越智能等成為重點(diǎn)。這一過程中，5G、AI等技術(shù)將成為改善人類數(shù)據(jù)處理方式、提升效率的關(guān)鍵。

基于此，英特爾正構(gòu)建FPGA、eASIC、ASIC多種產(chǎn)品解決方案矩陣，以便能夠挖掘數(shù)據(jù)全部潛能，并滿足不同用戶的需求。

5納米極紫外光刻技術(shù) (5nm EUV) 鰭式場效應(yīng)晶體管 (FinFET) 工藝制造的處理器，進(jìn)一步提高設(shè)備的電源效率和性能。除了具備頂級性能外，Exynos 1080 還擁有出眾的 5G、人工智能 (AI) 能力，并全面提升了影像能力及電競游戲體驗(yàn)。

Exynos 1080 是三星首款采用先進(jìn)的5nm FinFET EUV 工藝的移動(dòng)處理器，以確保其可以提供頂級性能。Exynos 1080 將最高頻率為 2.8 GHz 的 Arm? 最新 Cortex-A78 內(nèi)核和高效能的 Cortex-A55 內(nèi)核集成到其三集群中央處理器 (CPU） 系統(tǒng)中，其 CPU 性能幾乎是前代產(chǎn)品的兩倍。

借助基于第二代 Valhall 架構(gòu)的圖形處理器 (GPU) Arm Mali-G78，Exynos 1080 的 GPU 的性能也提高了兩倍以上，甚至可以流暢地運(yùn)行大型高要求的視頻游戲。