700和1200V碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）功率器件，為電動(dòng)汽車（EV）系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案，同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。

經(jīng)過Microchip內(nèi)部以及第三方測試，關(guān)鍵可靠性指標(biāo)已經(jīng)證明，與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比，Microchip 的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅（SiC）器件不同，Microchip 器件性能保持穩(wěn)定，有助于延長應(yīng)用壽命。Microchip 碳化硅（SiC）解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測試表明，Microchip 的碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）在非箝位電感開關(guān)（UIS）中的能量承受能力提升20%，在高溫下電流泄漏水平最低，從而可以延長系統(tǒng)壽命，實(shí)現(xiàn)更可靠的運(yùn)行。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.7 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV Qg-柵極電荷:19 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 系列:SI2 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.6 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:16 S 下降時(shí)間:48 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:43 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:71 ns 典型接通延遲時(shí)間:25 ns 零件號(hào)別名:SI2323DS-E3 單位重量:40 mg

Microchip 的SiC汽車功率器件進(jìn)一步拓展了其豐富的控制器、模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合，為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅（SiC）裸片，提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管（SiC SBD）和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。

Microchip推出的dsPIC®數(shù)字信號(hào)控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch®系列數(shù)字可編程門驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步加快了從設(shè)計(jì)階段到生產(chǎn)的進(jìn)程。這些解決方案還可應(yīng)用于可再生能源、電網(wǎng)、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國防系統(tǒng)。

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