AMR磁傳感器可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術(shù)
發(fā)布時間:2020/11/28 17:55:46 訪問次數(shù):798
0.25mm超薄指紋封裝工藝,實(shí)現(xiàn)了射頻產(chǎn)品4G PA的量產(chǎn);MEMS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了多元化發(fā)展,開發(fā)了心率傳感器、高度計及AMR磁傳感器并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);其TSV+SiP指紋識別封裝產(chǎn)品成功應(yīng)用于華為系列手機(jī)。通富微電率先實(shí)現(xiàn)了7nmFC產(chǎn)品量產(chǎn);高腳數(shù)FC-BGA封裝技術(shù)領(lǐng)先企業(yè),為CPU國產(chǎn)化提供了有力保障。
光纖連接1650 nm半導(dǎo)體激光器和砷化鎵銦(InGaAs)近紅外探測器來探測甲烷濃度,并使用可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術(shù)(TDLAS)。這種方式為未來用于氣體泄漏檢測和廢氣偷排監(jiān)測等應(yīng)用提供低成本、高靈敏度的甲烷探測器解決方案。IBM研究人員表明,光譜范圍可以從中紅外擴(kuò)展到8um波長區(qū)域,也就是能探測到分子振動的“指紋區(qū)”,因此潛在應(yīng)用范圍變得更加廣泛了。
地面平整,通風(fēng)良好
設(shè)備周圍無強(qiáng)烈振動
設(shè)備周圍無強(qiáng)電磁場影響
設(shè)備周圍無易燃、易爆、腐蝕性物質(zhì)和粉塵
設(shè)備周圍留有適當(dāng)?shù)氖褂眉熬S護(hù)空間,
電源要求:AC380V±10% 50±0.5Hz 三相五線制
要求用戶在安裝現(xiàn)場為設(shè)備配置相應(yīng)容量的空氣或動力開關(guān),并且此開關(guān)必須是獨(dú)立供本設(shè)備使用
環(huán)境溫度:5℃~+30℃(24小時內(nèi)平均溫度≤30℃)
環(huán)境濕度:≤85%RH
供水條件(僅限濕熱型及需要用水設(shè)備)
采用純凈水、蒸餾水、去離子水。電阻率≥500Ω.m

相比于傳統(tǒng)設(shè)計方案,BridgeSwitch電機(jī)驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列內(nèi)部集成了兩個性能加強(qiáng)的FREDFET(具有快恢復(fù)外延型二極管的場效應(yīng)晶體管)分別用于半橋電路的上管和下管,每個BridgeSwitch器件的上管和下管限流點(diǎn)都可以單獨(dú)進(jìn)行設(shè)定,這樣無需微處理器及相關(guān)外圍電路在電機(jī)繞組開路或短路情況下提供整個系統(tǒng)的保護(hù)。
集成的無損耗電流監(jiān)測特性可提供基于硬件的電機(jī)故障保護(hù),有助于簡化電機(jī)故障保護(hù)機(jī)制,從而滿足IEC60335-1和IEC60730-1要求。
BridgeSwitch IC中所使用的600V FREDFET集成了快速超軟恢復(fù)體二極管,這有助于大幅降低開關(guān)損耗和減少噪聲的產(chǎn)生,從而簡化系統(tǒng)級EMC設(shè)計。
0.25mm超薄指紋封裝工藝,實(shí)現(xiàn)了射頻產(chǎn)品4G PA的量產(chǎn);MEMS產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了多元化發(fā)展,開發(fā)了心率傳感器、高度計及AMR磁傳感器并成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn);其TSV+SiP指紋識別封裝產(chǎn)品成功應(yīng)用于華為系列手機(jī)。通富微電率先實(shí)現(xiàn)了7nmFC產(chǎn)品量產(chǎn);高腳數(shù)FC-BGA封裝技術(shù)領(lǐng)先企業(yè),為CPU國產(chǎn)化提供了有力保障。
光纖連接1650 nm半導(dǎo)體激光器和砷化鎵銦(InGaAs)近紅外探測器來探測甲烷濃度,并使用可調(diào)諧二極管激光吸收光譜技術(shù)(TDLAS)。這種方式為未來用于氣體泄漏檢測和廢氣偷排監(jiān)測等應(yīng)用提供低成本、高靈敏度的甲烷探測器解決方案。IBM研究人員表明,光譜范圍可以從中紅外擴(kuò)展到8um波長區(qū)域,也就是能探測到分子振動的“指紋區(qū)”,因此潛在應(yīng)用范圍變得更加廣泛了。
地面平整,通風(fēng)良好
設(shè)備周圍無強(qiáng)烈振動
設(shè)備周圍無強(qiáng)電磁場影響
設(shè)備周圍無易燃、易爆、腐蝕性物質(zhì)和粉塵
設(shè)備周圍留有適當(dāng)?shù)氖褂眉熬S護(hù)空間,
電源要求:AC380V±10% 50±0.5Hz 三相五線制
要求用戶在安裝現(xiàn)場為設(shè)備配置相應(yīng)容量的空氣或動力開關(guān),并且此開關(guān)必須是獨(dú)立供本設(shè)備使用
環(huán)境溫度:5℃~+30℃(24小時內(nèi)平均溫度≤30℃)
環(huán)境濕度:≤85%RH
供水條件(僅限濕熱型及需要用水設(shè)備)
采用純凈水、蒸餾水、去離子水。電阻率≥500Ω.m

相比于傳統(tǒng)設(shè)計方案,BridgeSwitch電機(jī)驅(qū)動器IC產(chǎn)品系列內(nèi)部集成了兩個性能加強(qiáng)的FREDFET(具有快恢復(fù)外延型二極管的場效應(yīng)晶體管)分別用于半橋電路的上管和下管,每個BridgeSwitch器件的上管和下管限流點(diǎn)都可以單獨(dú)進(jìn)行設(shè)定,這樣無需微處理器及相關(guān)外圍電路在電機(jī)繞組開路或短路情況下提供整個系統(tǒng)的保護(hù)。
集成的無損耗電流監(jiān)測特性可提供基于硬件的電機(jī)故障保護(hù),有助于簡化電機(jī)故障保護(hù)機(jī)制,從而滿足IEC60335-1和IEC60730-1要求。
BridgeSwitch IC中所使用的600V FREDFET集成了快速超軟恢復(fù)體二極管,這有助于大幅降低開關(guān)損耗和減少噪聲的產(chǎn)生,從而簡化系統(tǒng)級EMC設(shè)計。
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