SJMOSFET在市場(chǎng)上占據(jù)主導(dǎo)地位，仍是上述領(lǐng)域的首選技術(shù)。硅技術(shù)已非常成熟和可靠，而且還將進(jìn)一步發(fā)展。類器件上積攢了多年經(jīng)驗(yàn)。不同的技術(shù)對(duì)應(yīng)不同的細(xì)分市場(chǎng)，具體取決于系統(tǒng)的復(fù)雜程度。

氮化鎵正與用于開關(guān)電源的SJMOSFET、不間斷電源的高速絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、電信領(lǐng)域的中壓MOSFET以及用于服務(wù)器負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器和同步整流的低壓MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。由于這些市場(chǎng)對(duì)價(jià)格極其敏感，氮化鎵預(yù)計(jì)將首先在高端領(lǐng)域推出。

氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)通常具有多層場(chǎng)板，以最大限度減少柵極與漏極接觸處的電壓峰值應(yīng)力和動(dòng)態(tài)RDS(on)。二氧化硅和氮化硅等薄膜用作電介質(zhì)層，這些薄膜必須足夠優(yōu)質(zhì)，以求最大限度減少薄膜污染，減少高溫下的熱降解，改善薄膜化學(xué)計(jì)量比。必須控制薄膜應(yīng)力以避免晶圓彎曲，這可以通過調(diào)整射頻功率和其他工藝參數(shù)來實(shí)現(xiàn)。

氮化硅的表面鈍化已被證明可以產(chǎn)生更高的載流子濃度，以便改善二維電子氣的電導(dǎo)率，提高器件性能。三氧化二鋁等替代材料通過原子層沉積來提高器件性能。

制造商: ISSI

產(chǎn)品種類: eMMC

RoHS: 詳細(xì)信息

系列: IS21ES16G

存儲(chǔ)容量: 16 GB

配置: MLC

連續(xù)讀取: 255 MB/s

連續(xù)寫入: 24.6 MB/s

工作電源電壓: 3.3 V

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 85 C

尺寸: 14 mm x 18 mm x 1.4 mm

封裝: Cut Tape

封裝: MouseReel

封裝: Reel

封裝 / 箱體: FBGA-100

產(chǎn)品: eMMC Flash Drive

商標(biāo): ISSI

接口類型: eMMC 5.0

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

濕度敏感性: Yes

產(chǎn)品類型: eMMC

工廠包裝數(shù)量: 1000

子類別: Memory & Data Storage

華邦電、旺宏、美光等IDM廠近一年來沒有新增產(chǎn)能，只是通過制程微縮來增加產(chǎn)量。而從代工端來看，主要由中芯國(guó)際、華虹宏力、武漢新芯等提供產(chǎn)能。但近期可提供NOR Flash代工的50nm/60nm產(chǎn)能已供不應(yīng)求，2020年第四季度之前無法增加投片，使得全年NOR Flash供給都處于吃緊狀態(tài)。

由于中國(guó)大陸晶圓代工廠有可能遭受更嚴(yán)苛的貿(mào)易限制，使得中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)廠商有機(jī)會(huì)迎來NOR Flash轉(zhuǎn)單潮，包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)。這種局面一旦真的出現(xiàn)，NOR Flash產(chǎn)能可能更加吃緊，這在客觀上會(huì)進(jìn)一步提升華邦電和旺宏的市場(chǎng)地位。

全球8英寸晶圓代工月產(chǎn)能本就非常緊張，已長(zhǎng)期處于供不應(yīng)求的狀態(tài)，在這種情況下，若NOR Flash大范圍轉(zhuǎn)單真的出現(xiàn)，無疑會(huì)使全球本已十分緊張的8英寸晶圓代工產(chǎn)能雪上加霜，估計(jì)到時(shí)候價(jià)格又要上漲了。

加速提升OLED手機(jī)顯示面板的滲透率。預(yù)計(jì)2021年會(huì)有一半以上的智能手機(jī)采用OLED顯示面板。整體而言，OLED面板需求會(huì)持續(xù)爆發(fā)，必將帶動(dòng)NOR Flash需求加速增長(zhǎng)。