6英寸SiC工藝在功率半導(dǎo)體方面的優(yōu)勢包括高工作電壓、顯著降低晶體管導(dǎo)通電阻、更低的傳輸和開關(guān)損耗、擴展的工作溫度范圍、導(dǎo)熱系數(shù)更高、工作頻率更高、寄生電容更低等等，可使客戶實現(xiàn)高效功率半導(dǎo)體器件，包括MOSFET、JFET和肖特基二極管等。

SiC晶圓電源控制芯片能夠提供更優(yōu)異的耐高溫、耐電壓和大電流特性，使得SiC產(chǎn)品除了應(yīng)用于現(xiàn)有用途之外，也能更好的適用于火車逆變器模組、電動汽車、車用充電器等新興應(yīng)用領(lǐng)域。

Model 3型汽車車，就全部使用了碳化硅半導(dǎo)體模塊，每輛車會用到24個碳化硅模組，現(xiàn)今在道路上行駛的Model 3車輛中該碳化硅模塊的數(shù)量約為100萬。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-3 晶體管極性:P-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:20 V Id-連續(xù)漏極電流:4.7 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:39 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 8 V, + 8 V Vgs th-柵源極閾值電壓:400 mV Qg-柵極電荷:19 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.25 W 通道模式:Enhancement 商標名:TrenchFET 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.45 mm 長度:2.9 mm 系列:SI2 晶體管類型:1 P-Channel 寬度:1.6 mm 商標:Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:16 S 下降時間:48 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時間:43 ns 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時間:71 ns 典型接通延遲時間:25 ns 零件號別名:SI2323DS-E3 單位重量:40 mg

LMZM33606電源模塊有三個顯著優(yōu)點：

EMI特性優(yōu)良。開關(guān)電源是EMI的主要來源，其中一個原因是電流環(huán)路是高頻的，模塊已經(jīng)把電容集成進去，可以把電流環(huán)路做到更小，這樣就可以滿足很多EMI標準。從模塊規(guī)格上看，它可以滿足EN55011和CISPR11輻射的標準。所以，EMI性能優(yōu)越，工程師不再需要花時間調(diào)試EMI性能。

功率密度。將被動元器件，如電感、電容、電阻器件等集成到芯片里，采用QFN封裝，下面是基板。因為有基板存在，所以熱阻比較小，散熱也比較好。再加入一些屏蔽電感，屏蔽電感比傳統(tǒng)的電感EMI性能更高。

高壓電源領(lǐng)域的氮化鎵（GaN）功率器件LMG341x系列。

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