電源開關接口與照明降壓DC/DC開關穩(wěn)壓器
發(fā)布時間:2020/11/28 19:14:57 訪問次數(shù):1335
SiC制造產線轉換6英寸SiC晶圓。碳化硅(SiC)晶圓的得以擴大SiC產品之供應，以因應光伏變頻器及電動車等高成長市場需求；而英飛凌已將所有SiC產品轉換至6英寸制造產線生產，因此與科銳的協(xié)議僅涵蓋此類晶圓尺寸。
X-FAB計劃將其位于美國德州拉伯克市的6英寸SiC工藝產能提高一倍。X-FAB被認為是第一家在6英寸晶圓上提供SiC工藝的晶圓代工廠，該公司購買了第二臺加熱離子注入機，將于今年底交付，并于明年第一季度開始生產（以及時滿足近期的需求預期）。此次擴產也表明了其對SiC技術和代工業(yè)務模式的承諾。
電源管理產品共有6類，分別是降壓DC/DC開關穩(wěn)壓器、電源開關接口與照明、電源管理、高壓電源、線性電源、升壓多通道多相位DC/DC。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:音頻放大器 RoHS: 詳細信息 系列:PAM8403 產品:Audio Amplifiers 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Diodes Incorporated 濕度敏感性:Yes 產品類型:Audio Amplifiers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Audio ICs 單位重量:324.146 mg
三星的第五代V-NAND技術在性能方面其實也有不小的改進，它采用的Toggle DDR 4.0
接口運行速率已經從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V，可以抵消掉接口提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降，其讀取延遲已壓縮到50微秒，寫入延遲降低30%達到500微秒。
3D NAND的制程技術改進細節(jié)三星并沒有透露多少，目前可知的是每個存儲層的厚度已經削薄了20%，以及文首處提及的30%產能提升。三星首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC，是消費市場和手機存儲里常見的規(guī)格.
(素材來源：chinaaet和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
SiC制造產線轉換6英寸SiC晶圓。碳化硅(SiC)晶圓的得以擴大SiC產品之供應，以因應光伏變頻器及電動車等高成長市場需求；而英飛凌已將所有SiC產品轉換至6英寸制造產線生產，因此與科銳的協(xié)議僅涵蓋此類晶圓尺寸。
X-FAB計劃將其位于美國德州拉伯克市的6英寸SiC工藝產能提高一倍。X-FAB被認為是第一家在6英寸晶圓上提供SiC工藝的晶圓代工廠，該公司購買了第二臺加熱離子注入機，將于今年底交付，并于明年第一季度開始生產（以及時滿足近期的需求預期）。此次擴產也表明了其對SiC技術和代工業(yè)務模式的承諾。
電源管理產品共有6類，分別是降壓DC/DC開關穩(wěn)壓器、電源開關接口與照明、電源管理、高壓電源、線性電源、升壓多通道多相位DC/DC。
制造商:Diodes Incorporated 產品種類:音頻放大器 RoHS: 詳細信息 系列:PAM8403 產品:Audio Amplifiers 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Diodes Incorporated 濕度敏感性:Yes 產品類型:Audio Amplifiers 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:Audio ICs 單位重量:324.146 mg
三星的第五代V-NAND技術在性能方面其實也有不小的改進，它采用的Toggle DDR 4.0
接口運行速率已經從上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同時工作電壓也從1.8V降低至1.2V，可以抵消掉接口提速帶來的能耗上升。此外讀寫延遲也有所下降，其讀取延遲已壓縮到50微秒，寫入延遲降低30%達到500微秒。
3D NAND的制程技術改進細節(jié)三星并沒有透露多少，目前可知的是每個存儲層的厚度已經削薄了20%，以及文首處提及的30%產能提升。三星首批第五代3D NAND顆粒為256Gb TLC，是消費市場和手機存儲里常見的規(guī)格.
(素材來源：chinaaet和ttic.如涉版權請聯(lián)系刪除。特別感謝）
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