80千瓦鋰離子電池導(dǎo)致器件的結(jié)溫較高
發(fā)布時間:2020/11/29 16:16:09 訪問次數(shù):1163
EV1電動汽車,采用16.5千瓦鉛酸電池。該車的續(xù)航里程為70—90英里,充滿電需要7.5小時。如今,特斯拉Model 3配備的是80千瓦鋰離子電池,續(xù)航里程為310英里,使用特斯拉的V3超級充電樁,充滿電只需35分鐘。
車載充電器(OBC)布置在車內(nèi),通過電源轉(zhuǎn)換對電池進(jìn)行充電。它必須做到高效、輕便、可靠。目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SJMOSFET)來調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸,重量大概13磅,能效約為94%。
制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件編號
HEF4060BT,653
描述
IC BNRY COUNT/DVDER 14STG 16SOIC
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 Counter-IC-二進(jìn)制計數(shù)器-pval-105-Element-pval-2207-Bit-負(fù)邊沿-16-SO
邏輯類型 二進(jìn)制計數(shù)器
方向 上
元件數(shù) 1
每元件位數(shù) 14
復(fù)位 異步
定時 -
計數(shù)速率 30MHz
觸發(fā)器類型 負(fù)邊沿
電壓 - 電源 3V ~ 15V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 16-SO

氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)通常具有多層場板,以最大限度減少柵極與漏極接觸處的電壓峰值應(yīng)力和動態(tài)RDS(on)。二氧化硅和氮化硅等薄膜用作電介質(zhì)層,這些薄膜必須足夠優(yōu)質(zhì),以求最大限度減少薄膜污染,減少高溫下的熱降解,改善薄膜化學(xué)計量比。必須控制薄膜應(yīng)力以避免晶圓彎曲,這可以通過調(diào)整射頻功率和其他工藝參數(shù)來實現(xiàn)。
氮化鎵HEMT是橫向器件,具有非常高的電流密度,因此大部分損耗發(fā)生在晶粒頂部。在普通的分立封裝中,晶粒的底部會連接到銅引線框架上。硅襯底的導(dǎo)熱系數(shù)相對較低,這導(dǎo)致器件的工作結(jié)溫較高。過于接近最大結(jié)溫工作會對可靠性和溫度相關(guān)特性產(chǎn)生不利影響,例如:RDS(ON)。
(素材來源:21ic和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
EV1電動汽車,采用16.5千瓦鉛酸電池。該車的續(xù)航里程為70—90英里,充滿電需要7.5小時。如今,特斯拉Model 3配備的是80千瓦鋰離子電池,續(xù)航里程為310英里,使用特斯拉的V3超級充電樁,充滿電只需35分鐘。
車載充電器(OBC)布置在車內(nèi),通過電源轉(zhuǎn)換對電池進(jìn)行充電。它必須做到高效、輕便、可靠。目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(SJMOSFET)來調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸,重量大概13磅,能效約為94%。
制造商
Nexperia USA Inc.
制造商零件編號
HEF4060BT,653
描述
IC BNRY COUNT/DVDER 14STG 16SOIC
對無鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求
濕氣敏感性等級 (MSL) 1(無限)
詳細(xì)描述 Counter-IC-二進(jìn)制計數(shù)器-pval-105-Element-pval-2207-Bit-負(fù)邊沿-16-SO
邏輯類型 二進(jìn)制計數(shù)器
方向 上
元件數(shù) 1
每元件位數(shù) 14
復(fù)位 異步
定時 -
計數(shù)速率 30MHz
觸發(fā)器類型 負(fù)邊沿
電壓 - 電源 3V ~ 15V
工作溫度 -40°C ~ 85°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 16-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝 16-SO

氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)通常具有多層場板,以最大限度減少柵極與漏極接觸處的電壓峰值應(yīng)力和動態(tài)RDS(on)。二氧化硅和氮化硅等薄膜用作電介質(zhì)層,這些薄膜必須足夠優(yōu)質(zhì),以求最大限度減少薄膜污染,減少高溫下的熱降解,改善薄膜化學(xué)計量比。必須控制薄膜應(yīng)力以避免晶圓彎曲,這可以通過調(diào)整射頻功率和其他工藝參數(shù)來實現(xiàn)。
氮化鎵HEMT是橫向器件,具有非常高的電流密度,因此大部分損耗發(fā)生在晶粒頂部。在普通的分立封裝中,晶粒的底部會連接到銅引線框架上。硅襯底的導(dǎo)熱系數(shù)相對較低,這導(dǎo)致器件的工作結(jié)溫較高。過于接近最大結(jié)溫工作會對可靠性和溫度相關(guān)特性產(chǎn)生不利影響,例如:RDS(ON)。
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