數(shù)字化技術(shù)解鎖數(shù)據(jù)并聯(lián)真空開斷技術(shù)
發(fā)布時間:2020/12/3 18:27:07 訪問次數(shù):642
電氣無六氟化硫(SF6-free)環(huán)保中壓開關(guān)設(shè)備——GM AirSeT、RM AirSeT與SM AirSeT系列產(chǎn)品重磅亮相。該系列產(chǎn)品使用了干燥空氣代替強效溫室氣體六氟化硫作為絕緣氣體,結(jié)合了并聯(lián)真空開斷技術(shù),可以更加安全、可持續(xù)地利用數(shù)字化技術(shù)解鎖數(shù)據(jù)價值,并有效控制碳排放,助力配電網(wǎng)建設(shè)的綠色低碳可持續(xù)發(fā)展。
低壓成套設(shè)備Smart PIX、MVnex、BlokSeT、Okken、PrismaSeT系列,可實現(xiàn)標準網(wǎng)關(guān)、無線連接、測溫等多種功能的預(yù)制化搭載,打造出廠即自帶數(shù)字化基因的新型智能成套設(shè)備,結(jié)合多款數(shù)字化軟件,全面優(yōu)化配電資產(chǎn)從設(shè)計、建造到部署、營維的全生命周期數(shù)字化管理,提高用電可靠性及系統(tǒng)運維效率。
制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產(chǎn)品類型:TVS Diodes 極性:Unidirectional 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123FL-2 擊穿電壓:44.2 V 鉗位電壓:58.1 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):200 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:- Vesd - 靜電放電電壓氣隙:- Ipp - 峰值脈沖電流:3.4 A 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:SMF 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Littelfuse 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:36 mg
相對于后續(xù)開始的 16/14nm 需要導(dǎo)入 FinFET 工藝,晶圓制造成本會上升至少 50% 以上,只有類似于手機這種有巨大體量的應(yīng)用領(lǐng)域可以分攤成本。在許多非消費類的相關(guān)應(yīng)用中,28nm 的工藝穩(wěn)定性,以及性能和成本的參數(shù),都是非常具有性價比的。
隨著 28nm 工藝技術(shù)的成熟,28nm 工藝產(chǎn)品市場需求量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長態(tài)勢,并且這種高增長態(tài)勢持續(xù)到 2017 年。2015 年至 2016 年,28nm 工藝主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然為手機處理器和基帶。2017 年之后,28nm 工藝雖然在手機領(lǐng)域的應(yīng)用有所下降,但在其他多個領(lǐng)域的應(yīng)用迅速增加,如 OTT 盒子和智能電視等應(yīng)用領(lǐng)域市場的增長速度較快。

(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)
電氣無六氟化硫(SF6-free)環(huán)保中壓開關(guān)設(shè)備——GM AirSeT、RM AirSeT與SM AirSeT系列產(chǎn)品重磅亮相。該系列產(chǎn)品使用了干燥空氣代替強效溫室氣體六氟化硫作為絕緣氣體,結(jié)合了并聯(lián)真空開斷技術(shù),可以更加安全、可持續(xù)地利用數(shù)字化技術(shù)解鎖數(shù)據(jù)價值,并有效控制碳排放,助力配電網(wǎng)建設(shè)的綠色低碳可持續(xù)發(fā)展。
低壓成套設(shè)備Smart PIX、MVnex、BlokSeT、Okken、PrismaSeT系列,可實現(xiàn)標準網(wǎng)關(guān)、無線連接、測溫等多種功能的預(yù)制化搭載,打造出廠即自帶數(shù)字化基因的新型智能成套設(shè)備,結(jié)合多款數(shù)字化軟件,全面優(yōu)化配電資產(chǎn)從設(shè)計、建造到部署、營維的全生命周期數(shù)字化管理,提高用電可靠性及系統(tǒng)運維效率。
制造商:Littelfuse 產(chǎn)品種類:ESD 抑制器/TVS 二極管 RoHS: 詳細信息 產(chǎn)品類型:TVS Diodes 極性:Unidirectional 端接類型:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOD-123FL-2 擊穿電壓:44.2 V 鉗位電壓:58.1 V 峰值脈沖功耗 (Pppm):200 W Vesd - 靜電放電電壓觸點:- Vesd - 靜電放電電壓氣隙:- Ipp - 峰值脈沖電流:3.4 A 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C 系列:SMF 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 商標:Littelfuse 工廠包裝數(shù)量:3000 子類別:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes 單位重量:36 mg
相對于后續(xù)開始的 16/14nm 需要導(dǎo)入 FinFET 工藝,晶圓制造成本會上升至少 50% 以上,只有類似于手機這種有巨大體量的應(yīng)用領(lǐng)域可以分攤成本。在許多非消費類的相關(guān)應(yīng)用中,28nm 的工藝穩(wěn)定性,以及性能和成本的參數(shù),都是非常具有性價比的。
隨著 28nm 工藝技術(shù)的成熟,28nm 工藝產(chǎn)品市場需求量呈現(xiàn)爆發(fā)式增長態(tài)勢,并且這種高增長態(tài)勢持續(xù)到 2017 年。2015 年至 2016 年,28nm 工藝主要應(yīng)用領(lǐng)域仍然為手機處理器和基帶。2017 年之后,28nm 工藝雖然在手機領(lǐng)域的應(yīng)用有所下降,但在其他多個領(lǐng)域的應(yīng)用迅速增加,如 OTT 盒子和智能電視等應(yīng)用領(lǐng)域市場的增長速度較快。

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