AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產品組合，重點關注動力系統應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數量簡化設計。

在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關斷期間來自感性負載電流的能量。

歐姆龍e-sx67型槽式顯微傳感器沒有調制，具有50mA到100mA的直接開關能力。e - sx67系列包括能夠在暗開和亮開操作之間切換的型號。e-sx67顯微傳感器的響應頻率高達1kHz，工作電壓范圍從5VDC到24VDC。

產品種類:光學開關（透射型，光電晶體管輸出）槽寬:5 mm光圈寬度:0.8 mm最大集電極電流:100 mA安裝風格:Wire Leads最小工作溫度:- 25 C最大工作溫度:+ 55 C系列:封裝:Bulk輸出類型:Phototransistor 感應距離:5 mm 感應方式:Transmissive, Slotted, Through-Beam Type 波長:940 nm 商標:Omron Automation and Safety 通道數量:1 Channel 產品類型:Optical Switches, Transmissive, Phototransistor Output

新的MOSFET在175°C時完全符合AEC-Q101汽車標準，提供40 V和60 V選項，典型RDS(ON)額定值為12.5mΩ至55mΩ。所有器件均采用公司節(jié)省空間的LFPAK56D（雙通道Power-SO8）銅夾片封裝技術。該封裝堅固可靠，配備鷗翼引腳，實現出色的板級可靠性，并兼容自動光學檢查(AOI)，提供出色的可制造性。

通常希望實現重復雪崩拓撲的工程師不得不依賴基于陳舊平面半導體技術的器件。通過在更高性能硅結構的基礎上，提供具有可靠重復雪崩功能的汽車級器件，就能增加利用其功能優(yōu)勢而設計的動力總成數量。

(素材來源：eccn.如涉版權請聯系刪除。特別感謝）