輸入端噪聲通常用ADC輸入為直流值時的若干輸出樣本的直方圖來表征。大多數(shù)高速或高分辨率ADC的輸出為一系列以直流輸入標稱值為中心的代碼。為了測量其值，ADC的輸入端接地或連接到一個深度去耦的電壓源，然后采集大量輸出樣本并將其表示為直方(有時也稱為"接地輸入"直方)。

由于噪聲大致呈高斯分布，因此可以計算直方圖的標準差σ-,它對應(yīng)于有效輸入均方根噪聲。根據(jù)直方圖數(shù)據(jù)計算σ值。該均方根噪聲雖然可以表示為以ADC滿量程輸入范圍為基準的均方根電壓，但慣例是用LSB rms來表示。

wh6-135PTC自恢復(fù)保險絲的電氣特征：

25°下這個6VPTC自恢復(fù)保險絲的最大工作電流：1.35A

25°下wh6-135PTC自恢復(fù)保險絲產(chǎn)品的啟動保護的最小電流：2.7A

WH6-135在阻斷狀態(tài)下所承受得最大電壓：6V

wh6-135最大承受得電流：40A

WH6-135PTC自恢復(fù)保險絲工作前初始最小電阻：0.06歐姆

WH6-135PTC自恢復(fù)保險絲工作前初始最大電阻：0.115歐姆

NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲設(shè)備，在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND被證明極具吸引力。NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標就是降低每比特存儲成本、提高存儲容量。

閃存結(jié)合了EPROM的高密度和EEPROM結(jié)構(gòu)的變通性的優(yōu)點。

EPROM是指其中的內(nèi)容可以通過特殊手段擦去，然后重新寫入。其基本單元電路如下圖所示。常采用浮空柵雪崩注入式MOS電路，簡稱為FAMOS。