行地址是計(jì)算機(jī)的高階地址位，列地址是低階地址位。由于行地址和列地址在不同的時(shí)間發(fā)送，因此行地址和列地址復(fù)用到相同的DRAM 針腳上，以降低封裝針腳數(shù)量、成本和尺寸。行地址尺寸要大于列地址，因?yàn)槭褂玫墓β逝c列數(shù)有關(guān)。

DRAM 刷新實(shí)現(xiàn)方案包括分布式刷新和突發(fā)刷新。

DRAM 演進(jìn)及實(shí)現(xiàn)了DRAM IC 上的刷新計(jì)數(shù)器，處理順序生成的行地址。在DRAM IC 內(nèi)部，刷新計(jì)數(shù)器是復(fù)用器輸入，控制著內(nèi)存陣列行地址。另一個(gè)復(fù)用器輸入來(lái)自外部地址輸入針腳的行地址。這個(gè)內(nèi)部刷新計(jì)數(shù)器不需要內(nèi)存控制器中的外部刷新計(jì)數(shù)器電路。部分DRAM 在RAS周期前支持一個(gè)CAS，以使用內(nèi)部生成的行地址發(fā)起刷新周期。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:整流器 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-220AC Vr - 反向電壓 :600 V If - 正向電流:15 A 類型:Fast Recovery Rectifiers 配置:Single Vf - 正向電壓:2.9 V 最大浪涌電流:150 A Ir - 反向電流 :60 uA 恢復(fù)時(shí)間:50 ns 最大工作溫度:+ 175 C 系列: 封裝:Tube 高度:9.3 mm (Max) 長(zhǎng)度:10.4 mm (Max) 產(chǎn)品:Rectifiers 端接類型:Through Hole 寬度:4.6 mm (Max) 商標(biāo):STMicroelectronics Pd-功率耗散:- 產(chǎn)品類型:Rectifiers 1000 子類別:Diodes & Rectifiers 單位重量:6 g

系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來(lái)不同的效果。將對(duì)不同的組織方式及其效果。

Single Channel 指 DRAM Controller 只有一組控制和數(shù)據(jù)總線。 在這種場(chǎng)景下，DRAM Controller 與單個(gè)或者多個(gè) DRAM Devices 的連接方式如下所示：

Single Channel 連接單個(gè) DRAM Device 是最常見(jiàn)的一種組織方式。 由于成本、工藝等方面的因素，單個(gè) DRAM Device 在總線寬度、容量上有所限制，在需要大帶寬、大容量的產(chǎn)品中，通常接入多個(gè) DRAM Devices。