DDR3-1066 SDRAM的能耗低于DDR2-800 SDRAM，因?yàn)镈DR3 SDRAM 的工作電壓是1.5 V，是DDR2SDRAM 的83%，DDR2 SDRAM 的工作電壓是1.8 伏。DDR3 SDRAM數(shù)據(jù)DQ驅(qū)動器的阻抗是34歐姆，DDR2 SDRAM 的阻抗較低，是18 歐姆。

表3. 預(yù)計的DDR3 SDRAM 數(shù)據(jù)速率和時鐘速度

DDR3 SDRAM 將從512 Mb 內(nèi)存開始，將來將發(fā)展到8 Gb 內(nèi)存。與DDR2 SDRAM 一樣，DDR3 SDRAM 數(shù)據(jù)輸出配置包括x4、x8 和x16。

連接器類型：接頭觸頭類型：公形引腳間距 - 配接：0.098"（2.50mm）針腳數(shù)：7排數(shù)：1加載的針腳數(shù)：全部樣式：板至電纜/導(dǎo)線護(hù)罩：帶遮蔽 - 4 墻安裝類型：通孔，直角端接：焊接緊固類型：推挽式接觸長度 - 配接：0.177"（4.50mm）接觸長度 - 接線柱：0.142"（3.60mm）絕緣高度：0.224"（5.69mm）觸頭形狀：方形觸頭表面處理 - 配接：錫觸頭表面處理厚度 - 配接：39.4μin（1.00μm）觸頭表面處理 - 柱：錫觸頭材料：黃銅絕緣材料：聚酰胺（PA），尼龍?zhí)匦裕烘I槽工作溫度：-35°C ~ 85°C材料可燃性等級：UL94 V-0絕緣顏色：白色額定電壓：150V無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

DDR3 SDRAM 有8 個內(nèi)存條，DDR2 SDRAM 則有4 個或8 個內(nèi)存條，具體視內(nèi)存大小而定。

DDR2 和DDR3 SDRAM 都有4 個模式寄存器。DDR2 定義了前兩個模式寄存器，另兩個模式寄存器則預(yù)留給將來使用。DDR3使用全部4個模式寄存器。

其缺點(diǎn)RFID 成本較為昂貴，加上配套的發(fā)射器、讀取機(jī)、編碼器以及天線等設(shè)備，成本進(jìn)一步提高；RFID 標(biāo)簽一旦接近讀取器，就會無條件觸發(fā)發(fā)出信息，因此涉及隱私問題；

存在金屬、水分的環(huán)境條件下，會對 RFID 識別產(chǎn)生干擾，影響信息讀取。