1M位磁阻隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)通用存儲(chǔ)芯片。

1M位MRAM存儲(chǔ)器能消除電子設(shè)備中共同問(wèn)題，如計(jì)算機(jī)和手機(jī)的上電慢，數(shù)據(jù)遺失，裝載數(shù)據(jù)長(zhǎng)時(shí)間等待，電池壽命短等。MRAM設(shè)計(jì)成允許所有的程序和數(shù)據(jù)保持在局部的存儲(chǔ)器，即使在電源關(guān)斷時(shí)。它也能期望消除手機(jī)開機(jī)時(shí)的延時(shí)。

存儲(chǔ)器芯片技術(shù)能把多種存儲(chǔ)器集成在單一芯片中。不需要多種類型存儲(chǔ)器導(dǎo)致更小型的產(chǎn)品，更多的功能。

制造商:Vishay 產(chǎn)品種類:MOSFET 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerPAK-1212-8 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:30 V Id-連續(xù)漏極電流:38.3 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6 mOhms Vgs - 柵極-源極電壓:- 16 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:1.2 V Qg-柵極電荷:21.5 nC 最小工作溫度:- 55 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:19.8 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名: 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 長(zhǎng)度:3.3 mm 系列: 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:3.3 mm 商標(biāo):Vishay Semiconductors 正向跨導(dǎo) - 最小值:54 S 下降時(shí)間:7 ns 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:10 ns 3000 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:15 ns 典型接通延遲時(shí)間:15 ns 單位重量:463.221 mg

MWAM技術(shù)也給汽車工業(yè)帶來(lái)好處。它能用來(lái)滿足智能卡的需要，這種智能卡需要有效和成本效率的非揮發(fā)性的存儲(chǔ)器，它能工作在高速度，在讀寫周期有大交換量。它也有可能改善諸如通信和無(wú)鑰匙開車門的功能。公司計(jì)劃在2004年大量生產(chǎn)。

一個(gè)晶體管(1T)和一個(gè)磁隧道結(jié)(MTJ)組成的1M位MRAM，其讀寫周期小于50ns。64K位X16位存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)是根據(jù)0.6umCMOS工藝，在200mm襯底用銅互連來(lái)制造。在銅互連導(dǎo)線上的磁性材料覆層結(jié)構(gòu)能減少寫入程序所需功率四倍。

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