諧振LLC轉(zhuǎn)換器體二極管升壓無線打印模塊

發(fā)布時(shí)間:2020/12/24 8:28:52 訪問次數(shù):269

行業(yè)效率標(biāo)準(zhǔn)以及市場對效率技術(shù)需求的雙重作用，導(dǎo)致了對于可用于構(gòu)建更高效和更緊湊電源解決方案的半導(dǎo)體產(chǎn)品擁有巨大的需求。碳化硅MOSFET并不是簡單地替換硅MOSFET，如果這樣使用碳化硅MOSFET可能會(huì)導(dǎo)致效率下降而不是升高。

它可以通過藍(lán)牙技術(shù)實(shí)現(xiàn)無線接入和數(shù)據(jù)傳輸。LSE139支持高達(dá)723kbps的數(shù)據(jù)率，當(dāng)采用打印機(jī)適配器LSE019后也可以用于無線打印。

LSE019打印機(jī)適配器是提供藍(lán)牙支持的點(diǎn)對點(diǎn)打印功能的無線打印模塊。它可以與支持無線打印協(xié)議和串口打印的產(chǎn)品共同使用。

FDA24N50數(shù)據(jù)表

制造商: ON Semiconductor

產(chǎn)品種類: MOSFET

RoHS: 詳細(xì)信息

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-3PN-3

通道數(shù)量: 1 Channel

晶體管極性: N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V

Id-連續(xù)漏極電流: 24 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 190 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 270 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: UniFET

封裝: Tube

高度: 20.1 mm

長度: 16.2 mm

系列: FDA24N50

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 5 mm

商標(biāo): ON Semiconductor / Fairchild

下降時(shí)間: 86 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 108 ns

工廠包裝數(shù)量: 450

子類別: MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 164 ns

典型接通延遲時(shí)間: 47 ns

單位重量: 6.401 g

碳化硅CoolSiC器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，很有機(jī)會(huì)在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時(shí)效率可能下降多達(dá)0.5％。設(shè)計(jì)人員還應(yīng)注意，如果要在CCM圖騰PFC設(shè)計(jì)中獲得最高的峰值效率，則必須通過打開碳化硅MOSFET溝道而不是只通過體二極管進(jìn)行升壓。

器件結(jié)殼熱阻，這方面CoolMOS稍有優(yōu)勢，由于CoolSiC芯片尺寸較小，在相同封裝情況下，CoolSiC熱阻為1.0K/W（IMW65R048M1H），而CoolMOS則為0.8K/W（IPW60R070CFD7），但實(shí)證明這些熱阻的差異在實(shí)際設(shè)計(jì)中可以忽略。

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