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​STDES-PFCBIDIR電動汽車三相雙向功率變換器

發(fā)布時間:2020/12/7 8:34:59 訪問次數(shù):885

以MCU FS32KX為核心,以外部12V或超級電容為電源。以從加速度傳感器獲取的數(shù)據(jù)作為碰撞判定的依據(jù),讀取總線上所需記錄設(shè)備的實時信息,并且及時儲存到外掛的兩塊存儲芯片。可通過CAN接口將EDR的數(shù)據(jù)讀取出來。該方案擁有成熟的軟件和硬件基礎(chǔ),能幫助車廠快速進行汽車EDR方面的開發(fā)。

板子的開放式固件(X-CUBE-MCSDK)可以將源代碼直接插入應(yīng)用程序中,贏得了參觀者的一致好評。整個解決方案基于STSPIN32F0601,還集成一個STM32F031低功耗微控制器,為應(yīng)用帶來更高的能效和成本效益。逆變器級使用與STGD5H60DF類似的IGBT溝柵場截止IGBT。 

一般信息

數(shù)據(jù)列表

TPS53318,19;

標準包裝

2,500

包裝

標準卷帶

零件狀態(tài)

有源

類別

集成電路(IC)

產(chǎn)品族

PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器

系列

D-CAP™,Eco-Mode™

其它名稱

296-39408-2

TPS53318DQPR-ND規(guī)格

功能

降壓

輸出配置

拓撲

降壓

輸出類型

可調(diào)式

輸出數(shù)

1

電壓 - 輸入(最小值)

1.5V

電壓 - 輸入(最大值)

22V

電壓 - 輸出(最小值/固定)

0.6V

電壓 - 輸出(最大值)

5.5V

電流 - 輸出

8A

頻率 - 開關(guān)

250kHz ~ 1MHz

同步整流器

工作溫度

-40°C ~ 85°C(TA)

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

22-PowerLFDFN

供應(yīng)商器件封裝

22-LSON-CLIP(6x5)

STDES-PFCBIDIR電動汽車三相雙向功率變換器可以破解這個進退兩難的困境。得益于SCTW35N65G2V碳化硅MOSFET,這款芯片可以用于開發(fā)能效更高的電源變換器。憑借其寬帶隙材料,SiC MOSFET具有更高的開關(guān)頻率,可以顯著改進高壓電源的能效。

GaN充電器與小功率充電器差不多一般大,可以為當今的大多數(shù)手機和平板電腦快速充電。在產(chǎn)品附件清單中增加大功率充電器,而不會導致快遞費上漲或換用更大的包裝盒,從而可以降低運營成本和環(huán)境影響。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)



以MCU FS32KX為核心,以外部12V或超級電容為電源。以從加速度傳感器獲取的數(shù)據(jù)作為碰撞判定的依據(jù),讀取總線上所需記錄設(shè)備的實時信息,并且及時儲存到外掛的兩塊存儲芯片。可通過CAN接口將EDR的數(shù)據(jù)讀取出來。該方案擁有成熟的軟件和硬件基礎(chǔ),能幫助車廠快速進行汽車EDR方面的開發(fā)。

板子的開放式固件(X-CUBE-MCSDK)可以將源代碼直接插入應(yīng)用程序中,贏得了參觀者的一致好評。整個解決方案基于STSPIN32F0601,還集成一個STM32F031低功耗微控制器,為應(yīng)用帶來更高的能效和成本效益。逆變器級使用與STGD5H60DF類似的IGBT溝柵場截止IGBT。 

一般信息

數(shù)據(jù)列表

TPS53318,19;

標準包裝

2,500

包裝

標準卷帶

零件狀態(tài)

有源

類別

集成電路(IC)

產(chǎn)品族

PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開關(guān)穩(wěn)壓器

系列

D-CAP™,Eco-Mode™

其它名稱

296-39408-2

TPS53318DQPR-ND規(guī)格

功能

降壓

輸出配置

拓撲

降壓

輸出類型

可調(diào)式

輸出數(shù)

1

電壓 - 輸入(最小值)

1.5V

電壓 - 輸入(最大值)

22V

電壓 - 輸出(最小值/固定)

0.6V

電壓 - 輸出(最大值)

5.5V

電流 - 輸出

8A

頻率 - 開關(guān)

250kHz ~ 1MHz

同步整流器

工作溫度

-40°C ~ 85°C(TA)

安裝類型

表面貼裝型

封裝/外殼

22-PowerLFDFN

供應(yīng)商器件封裝

22-LSON-CLIP(6x5)

STDES-PFCBIDIR電動汽車三相雙向功率變換器可以破解這個進退兩難的困境。得益于SCTW35N65G2V碳化硅MOSFET,這款芯片可以用于開發(fā)能效更高的電源變換器。憑借其寬帶隙材料,SiC MOSFET具有更高的開關(guān)頻率,可以顯著改進高壓電源的能效。

GaN充電器與小功率充電器差不多一般大,可以為當今的大多數(shù)手機和平板電腦快速充電。在產(chǎn)品附件清單中增加大功率充電器,而不會導致快遞費上漲或換用更大的包裝盒,從而可以降低運營成本和環(huán)境影響。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請聯(lián)系刪除。特別感謝)



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