硅MOSFET （parasitic parameters），以滿足開關轉(zhuǎn)換器(開關電源)設計人員的需求。

這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生, 如碳化硅場效應管(SiC MOSFET) 。它們能夠提供設計人員要求的更低的寄生參數(shù)滿足開關電源（SMPS）的設計要求。

650V 碳化硅場效應管器件在推出之后，可以補充之前只有1200V碳化硅場效應器件設計需求，碳化硅場效應管(SiC MOSFET)由于能夠?qū)崿F(xiàn)硅場效應管(Si MOSFET)以前從未考慮過的應用而變得更具有吸引力。

制造商

Xilinx Inc.

制造商零件編號

XC17256EPC20C

描述

IC SERIAL CFG PROM 256K 20-PLCC

對無鉛要求的達標情況/對限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達標情況 含鉛/不符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范要求

濕氣敏感性等級 （MSL） 3（168 小時）

類別 集成電路（IC）

產(chǎn)品族 存儲器 - 用于 FPGA 的配置 PROM

系列 -

規(guī)格

可編程類型 OTP

存儲容量 256Kb

電壓 - 電源 4.75V ~ 5.25V

工作溫度 0°C ~ 70°C

封裝/外殼 20-LCC（J 形引線）

供應商器件封裝 20-PLCC（9x9）

雙路調(diào)整器Endura ISL6529。封裝在14引腳SOIC封裝，Intersil公司的ISL6529調(diào)整器適合用在圖形處理單元(GPU)和SDRAM存儲器中。ISL6539能減小板的面積，元件的數(shù)目，加快產(chǎn)品走向市場。

ISL6529含有一個給GPU供大電流的同步脈寬調(diào)制(PWM)控制器和一個給存儲器供電的低電流線性調(diào)整器。兩個調(diào)整器都驅(qū)動N-MOSFET。它還可用在功率專用集成電路(ASIC)和嵌入處理器以及其它DSP IC。

ISL6529雙調(diào)整器IC的輸出在0.8-3.3V之間完全可調(diào)，工作頻率600 kHz能使用更小的元件和更有效的濾波器元件，節(jié)省了空間，降低成本，在整個溫度范圍內(nèi)電壓調(diào)整精度為2%，保證了可靠性。