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14位分辨率時(shí)INL典型值開關(guān)穩(wěn)壓器的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2020/12/25 13:06:00 訪問次數(shù):291

新一代TxDAC系列證明我們?cè)诟咚贁?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域取得了不斷的技術(shù)改進(jìn)和領(lǐng)先的地位。我們通過推出這些新器件,繼續(xù)履行對(duì)TxDAC 客戶的承諾,為他們提供不斷改進(jìn)的引腳兼容系列產(chǎn)品,并且為那些對(duì)成本比較敏感的通信基礎(chǔ)設(shè)施客戶提供一種能負(fù)擔(dān)得起的升級(jí)到新一代無線通信標(biāo)準(zhǔn)的方法。

第三代產(chǎn)品系列包括14位的AD9744, 12位的AD9742和10位的AD9740。AD974x 系列具有優(yōu)異的DC性能,其積分線性誤差(INL)和微分線性誤差(DNL)指標(biāo)值優(yōu)于市場(chǎng)上任何同類產(chǎn)品50%。AD9744在14位分辨率時(shí)INL典型值為± 0.8 LSB和DNL 為±0.5 LSB。

東芝Gen-4超結(jié)DTMOSIV mosfts采用了最先進(jìn)的單外延工藝DTMOSIV,與它的前身DTMOSIII相比,它減少了30%的RDS(on),這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)(FOM)。隨著RDS(on)的減少,在相同的包中放置更低的RDS(on)芯片成為可能。這有助于提高效率和減少電力供應(yīng)的規(guī)模。這些設(shè)備是理想的開關(guān)穩(wěn)壓器使用。

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220SIS-3通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:10 ARds _disibledevent="col-xs-5"> 2500

針對(duì)高性能、先進(jìn)的64位計(jì)算機(jī)市場(chǎng),AMD和安森美半導(dǎo)體的技術(shù)為我們的共同客戶提供合適的電流、及穩(wěn)定可靠性能。對(duì)于采用即將面世的第八代AMD處理器的系統(tǒng),客戶也可體驗(yàn)到優(yōu)化的32位應(yīng)用和系統(tǒng)性能,如有需要,還可遷移到64位環(huán)境下。

為配合NCP5331在AMD Athlon處理器上的應(yīng)用,安森美半導(dǎo)體推薦兩款功率MOSFET,即用于高邊的60Amp/28V NTD60N03開關(guān)和用于低邊的80Amp/24V NTD80N02開關(guān)。NTD60N03 器件對(duì)快速轉(zhuǎn)換進(jìn)行了優(yōu)化,而NTD80N02對(duì)最低可能Rds(on)進(jìn)行了優(yōu)化。


(素材來源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)


新一代TxDAC系列證明我們?cè)诟咚贁?shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域取得了不斷的技術(shù)改進(jìn)和領(lǐng)先的地位。我們通過推出這些新器件,繼續(xù)履行對(duì)TxDAC 客戶的承諾,為他們提供不斷改進(jìn)的引腳兼容系列產(chǎn)品,并且為那些對(duì)成本比較敏感的通信基礎(chǔ)設(shè)施客戶提供一種能負(fù)擔(dān)得起的升級(jí)到新一代無線通信標(biāo)準(zhǔn)的方法。

第三代產(chǎn)品系列包括14位的AD9744, 12位的AD9742和10位的AD9740。AD974x 系列具有優(yōu)異的DC性能,其積分線性誤差(INL)和微分線性誤差(DNL)指標(biāo)值優(yōu)于市場(chǎng)上任何同類產(chǎn)品50%。AD9744在14位分辨率時(shí)INL典型值為± 0.8 LSB和DNL 為±0.5 LSB。

東芝Gen-4超結(jié)DTMOSIV mosfts采用了最先進(jìn)的單外延工藝DTMOSIV,與它的前身DTMOSIII相比,它減少了30%的RDS(on),這是一個(gè)優(yōu)點(diǎn)(FOM)。隨著RDS(on)的減少,在相同的包中放置更低的RDS(on)芯片成為可能。這有助于提高效率和減少電力供應(yīng)的規(guī)模。這些設(shè)備是理想的開關(guān)穩(wěn)壓器使用。

產(chǎn)品種類:MOSFETRoHS:  技術(shù):Si安裝風(fēng)格:Through Hole封裝 / 箱體:TO-220SIS-3通道數(shù)量:1 Channel晶體管極性:N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓:600 VId-連續(xù)漏極電流:10 ARds _disibledevent="col-xs-5"> 2500

針對(duì)高性能、先進(jìn)的64位計(jì)算機(jī)市場(chǎng),AMD和安森美半導(dǎo)體的技術(shù)為我們的共同客戶提供合適的電流、及穩(wěn)定可靠性能。對(duì)于采用即將面世的第八代AMD處理器的系統(tǒng),客戶也可體驗(yàn)到優(yōu)化的32位應(yīng)用和系統(tǒng)性能,如有需要,還可遷移到64位環(huán)境下。

為配合NCP5331在AMD Athlon處理器上的應(yīng)用,安森美半導(dǎo)體推薦兩款功率MOSFET,即用于高邊的60Amp/28V NTD60N03開關(guān)和用于低邊的80Amp/24V NTD80N02開關(guān)。NTD60N03 器件對(duì)快速轉(zhuǎn)換進(jìn)行了優(yōu)化,而NTD80N02對(duì)最低可能Rds(on)進(jìn)行了優(yōu)化。


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