MD1810外接/內(nèi)部反饋電阻710V的高壓開(kāi)關(guān)管
發(fā)布時(shí)間:2020/12/14 22:08:19 訪問(wèn)次數(shù):764
SEL引腳允許單個(gè)外接電阻進(jìn)行四個(gè)不同的I2C接口從尋址,四個(gè)不同開(kāi)關(guān)電流設(shè)限閾值,一種在外接/內(nèi)部反饋電阻之間選擇.這四種開(kāi)關(guān)電流設(shè)限閾值允許使用更小的尺寸和更小的外接元件.采用外接反饋電阻有更寬的輸出電壓范圍和定制化輸出電壓.
輸入電壓為2.5V到16V,默認(rèn)開(kāi)關(guān)頻率1.8MHz,通過(guò)I2C接口可選擇1.5MHz和1.2MHz.具有軟起動(dòng)和多種保護(hù)特性如欠壓鎖住(UVLO),過(guò)流保護(hù)(OCP),過(guò)壓保護(hù)(OVP)以及熱關(guān)斷(THS).2.86mm x 2.06mm 35 WLP封裝,主要用在高達(dá)16V的非電池供電應(yīng)用以及帶EN控制的高達(dá)16V的電池供電應(yīng)用.
5V/1A六級(jí)能效機(jī)種可選用MD1810,此方案內(nèi)置710V的高壓開(kāi)關(guān)管,SOIC-7封裝在節(jié)省空間的同時(shí),又保證了高低壓的安全距離,使得在兼顧高性價(jià)比,高功率密度的同時(shí),又保證了電源的安全性.
整機(jī)極少的元器件設(shè)計(jì),利用數(shù)�；旌系脑叿答伩刂品绞�(PSR),省去了光耦和431及次級(jí)反饋控制電路,大大的減少了外圍器件.使用自有的專利驅(qū)動(dòng)技術(shù),搭配QR(準(zhǔn)諧振)工作模式,內(nèi)置完整的OCP,OPP,OVP,OTP,SCP,UVP等保護(hù)功能,使得整機(jī)效率更高,可靠性更好.精準(zhǔn)的CC/CV(恒壓/恒流)控制,可以輕松的滿足充電器或者適配器的要求.
實(shí)驗(yàn)標(biāo)明，更高倍率的放電會(huì)導(dǎo)致容量更快的衰減，如果放電電流較低，電池電壓會(huì)接近平衡電壓，能釋放出更多的能量。
SEL引腳允許單個(gè)外接電阻進(jìn)行四個(gè)不同的I2C接口從尋址,四個(gè)不同開(kāi)關(guān)電流設(shè)限閾值,一種在外接/內(nèi)部反饋電阻之間選擇.這四種開(kāi)關(guān)電流設(shè)限閾值允許使用更小的尺寸和更小的外接元件.采用外接反饋電阻有更寬的輸出電壓范圍和定制化輸出電壓.
輸入電壓為2.5V到16V,默認(rèn)開(kāi)關(guān)頻率1.8MHz,通過(guò)I2C接口可選擇1.5MHz和1.2MHz.具有軟起動(dòng)和多種保護(hù)特性如欠壓鎖住(UVLO),過(guò)流保護(hù)(OCP),過(guò)壓保護(hù)(OVP)以及熱關(guān)斷(THS).2.86mm x 2.06mm 35 WLP封裝,主要用在高達(dá)16V的非電池供電應(yīng)用以及帶EN控制的高達(dá)16V的電池供電應(yīng)用.
5V/1A六級(jí)能效機(jī)種可選用MD1810,此方案內(nèi)置710V的高壓開(kāi)關(guān)管,SOIC-7封裝在節(jié)省空間的同時(shí),又保證了高低壓的安全距離,使得在兼顧高性價(jià)比,高功率密度的同時(shí),又保證了電源的安全性.
整機(jī)極少的元器件設(shè)計(jì),利用數(shù)�；旌系脑叿答伩刂品绞�(PSR),省去了光耦和431及次級(jí)反饋控制電路,大大的減少了外圍器件.使用自有的專利驅(qū)動(dòng)技術(shù),搭配QR(準(zhǔn)諧振)工作模式,內(nèi)置完整的OCP,OPP,OVP,OTP,SCP,UVP等保護(hù)功能,使得整機(jī)效率更高,可靠性更好.精準(zhǔn)的CC/CV(恒壓/恒流)控制,可以輕松的滿足充電器或者適配器的要求.
實(shí)驗(yàn)標(biāo)明，更高倍率的放電會(huì)導(dǎo)致容量更快的衰減，如果放電電流較低，電池電壓會(huì)接近平衡電壓，能釋放出更多的能量。
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