可變衰減器的模擬控制50-4000MHz雙路模擬電壓
發(fā)布時(shí)間:2020/12/28 19:30:31 訪問(wèn)次數(shù):714
MAX19791是50-4000MHz雙路模擬電壓可變衰減器(VVA).器件包括專利控制電路,為每個(gè)衰減器23dB衰減范圍,其典型線性控制斜率8dB/V.兩個(gè)衰減器共享共同的模擬控制,并級(jí)聯(lián)以獲得46dB總衰減和典型線性控制斜率16dB/V(5V工作).
器件的4線SPI控制的10位DAC能用來(lái)控制兩個(gè)衰減器.MAX19791是單片集成電路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工藝,工作電壓5V或3.3V,緊湊的36引腳TQFN封裝(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度線性,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+37.4dBm,輸入P1dB為+22.6dBm.
產(chǎn)品特點(diǎn)
全球通用電壓:85 - 264VAC/100 - 370VDC
高功率密度,小體積:3”x 2”x 1.03”
工作溫度范圍:-40℃ to +70℃
4000VAC高隔離電壓
滿足5000m海拔高度要求
極低漏電流<75μA
空載功耗<0.3W
輸出短路、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)
效率高達(dá)91%
滿足2 x MOPP 安全認(rèn)證
適用于BF類應(yīng)用(漏電流要求更高)
符合EC/EN/ES60601-1,UL/EN/IEC62368-1,IEC/EN60335-1,IEC/EN61558-1,GB4943-1等認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),溫度補(bǔ)償電路,自動(dòng)控制電平(ALC),發(fā)送器增益控制,線性增益微調(diào),接收器增益控制和通用測(cè)試設(shè)備.
驅(qū)動(dòng)三相無(wú)刷馬達(dá)的低壓柵極驅(qū)動(dòng)器,它是單片三路半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,用來(lái)驅(qū)動(dòng)N溝功率MOSFET.每個(gè)驅(qū)動(dòng)器電流為600mA(沉/源).器件集成了低壓降線性穩(wěn)壓器,通過(guò)自舉電路產(chǎn)生低邊和高邊柵極驅(qū)動(dòng)器的電源電壓.器件提供低邊和高邊兩部分的欠壓鎖住(UVLO),避免功率開關(guān)工作低效率或危險(xiǎn)條件.
(素材來(lái)源:eccn和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)
MAX19791是50-4000MHz雙路模擬電壓可變衰減器(VVA).器件包括專利控制電路,為每個(gè)衰減器23dB衰減范圍,其典型線性控制斜率8dB/V.兩個(gè)衰減器共享共同的模擬控制,并級(jí)聯(lián)以獲得46dB總衰減和典型線性控制斜率16dB/V(5V工作).
器件的4線SPI控制的10位DAC能用來(lái)控制兩個(gè)衰減器.MAX19791是單片集成電路,采Maxim公司的SiGeBiCMOS工藝,工作電壓5V或3.3V,緊湊的36引腳TQFN封裝(6mm x 6mm x 0.8mm).器件具有高度線性,整個(gè)衰減范圍內(nèi)IIP3大于+37.4dBm,輸入P1dB為+22.6dBm.
產(chǎn)品特點(diǎn)
全球通用電壓:85 - 264VAC/100 - 370VDC
高功率密度,小體積:3”x 2”x 1.03”
工作溫度范圍:-40℃ to +70℃
4000VAC高隔離電壓
滿足5000m海拔高度要求
極低漏電流<75μA
空載功耗<0.3W
輸出短路、過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)
效率高達(dá)91%
滿足2 x MOPP 安全認(rèn)證
適用于BF類應(yīng)用(漏電流要求更高)
符合EC/EN/ES60601-1,UL/EN/IEC62368-1,IEC/EN60335-1,IEC/EN61558-1,GB4943-1等認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)
用在WCDMA/LTE, TD-SCDMA/TD-LTE, WiMAX®, cdma2000M, GSM/EDGE和 MMDS,基站,VSAT/衛(wèi)星調(diào)制解調(diào)器,微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)系統(tǒng),溫度補(bǔ)償電路,自動(dòng)控制電平(ALC),發(fā)送器增益控制,線性增益微調(diào),接收器增益控制和通用測(cè)試設(shè)備.
驅(qū)動(dòng)三相無(wú)刷馬達(dá)的低壓柵極驅(qū)動(dòng)器,它是單片三路半橋柵極驅(qū)動(dòng)器,用來(lái)驅(qū)動(dòng)N溝功率MOSFET.每個(gè)驅(qū)動(dòng)器電流為600mA(沉/源).器件集成了低壓降線性穩(wěn)壓器,通過(guò)自舉電路產(chǎn)生低邊和高邊柵極驅(qū)動(dòng)器的電源電壓.器件提供低邊和高邊兩部分的欠壓鎖住(UVLO),避免功率開關(guān)工作低效率或危險(xiǎn)條件.
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