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觸針與阻擋層間的電容較小頻率低于50千赫

發(fā)布時(shí)間:2020/12/15 23:04:48 訪問(wèn)次數(shù):1106

二極管是一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò)(順向偏壓),反向時(shí)阻斷(逆向偏壓),對(duì)電路進(jìn)行整流功能的元器件,二極管亦可成為電子版的逆止閥。此外變?nèi)荻䴓O管可用來(lái)當(dāng)做電子式的可調(diào)電容器;

二極管按其結(jié)構(gòu)和制造工藝不同,可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型兩種。其兩者最大的區(qū)別就是,點(diǎn)接觸型二極管具有較小的接觸面積,觸針與阻擋層間的電容較小,適用于在頻率較高的場(chǎng)合工作。而面接觸型二極管的極間電容較大,適宜在頻率低于50千赫一下的地方工作,常用于整流;

二極管具有整流電路、檢波電路、穩(wěn)壓電路等功能。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細(xì)信息 系列:STM32F103VC 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存儲(chǔ)器大小:256 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:80 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:48 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長(zhǎng)度:14 mm 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 寬度:14 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:16 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:8 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:540 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標(biāo)名:STM32 單位重量:1.319 g

MOS管 和IGBT是現(xiàn)代電子設(shè)備中使用頻率較高的新型功率半導(dǎo)體器件,由于其外形及靜態(tài)參數(shù)十分相似,作為初學(xué)者在選擇、判斷上比較困難。因此一些MOS管 和IGBT的特點(diǎn),希望大家更好的理解國(guó)產(chǎn)MOS管與IGBT的區(qū)別。

國(guó)產(chǎn)MOS管即是金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文全稱為MOSEFT。是單極性電壓驅(qū)動(dòng)器件,其具有輸入阻抗高開(kāi)關(guān)速度快、低通導(dǎo)電阻、電流流通能力強(qiáng)的特點(diǎn)。MOS管當(dāng)用作在電源開(kāi)關(guān)時(shí),是產(chǎn)品主要的熱源,需要靠外部散熱,是降低IC可靠性,導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定的罪魁禍?zhǔn)。由于MOS管的結(jié)點(diǎn)電容比較大,應(yīng)盡量零電壓開(kāi)通以達(dá)到減少損耗的目的。

(素材來(lái)源:icgu和ttic.如涉版權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除。特別感謝)

二極管是一種具有兩個(gè)電極的裝置,只允許電流由單一方向流過(guò)(順向偏壓),反向時(shí)阻斷(逆向偏壓),對(duì)電路進(jìn)行整流功能的元器件,二極管亦可成為電子版的逆止閥。此外變?nèi)荻䴓O管可用來(lái)當(dāng)做電子式的可調(diào)電容器;

二極管按其結(jié)構(gòu)和制造工藝不同,可分為點(diǎn)接觸型和面接觸型兩種。其兩者最大的區(qū)別就是,點(diǎn)接觸型二極管具有較小的接觸面積,觸針與阻擋層間的電容較小,適用于在頻率較高的場(chǎng)合工作。而面接觸型二極管的極間電容較大,適宜在頻率低于50千赫一下的地方工作,常用于整流;

二極管具有整流電路、檢波電路、穩(wěn)壓電路等功能。

制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類:ARM微控制器 - MCU RoHS: 詳細(xì)信息 系列:STM32F103VC 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存儲(chǔ)器大小:256 kB 數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大時(shí)鐘頻率:72 MHz 輸入/輸出端數(shù)量:80 I/O 數(shù)據(jù) RAM 大小:48 kB 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tray 高度:1.4 mm 長(zhǎng)度:14 mm 程序存儲(chǔ)器類型:Flash 寬度:14 mm 商標(biāo):STMicroelectronics 數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM 接口類型:CAN, I2C, SPI, USART, USB 濕度敏感性:Yes ADC通道數(shù)量:16 Channel 計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:8 Timer 處理器系列:ARM Cortex M 產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU 工廠包裝數(shù)量:540 子類別:Microcontrollers - MCU 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2 V 商標(biāo)名:STM32 單位重量:1.319 g

MOS管 和IGBT是現(xiàn)代電子設(shè)備中使用頻率較高的新型功率半導(dǎo)體器件,由于其外形及靜態(tài)參數(shù)十分相似,作為初學(xué)者在選擇、判斷上比較困難。因此一些MOS管 和IGBT的特點(diǎn),希望大家更好的理解國(guó)產(chǎn)MOS管與IGBT的區(qū)別。

國(guó)產(chǎn)MOS管即是金屬氧化物半導(dǎo)體絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管,英文全稱為MOSEFT。是單極性電壓驅(qū)動(dòng)器件,其具有輸入阻抗高開(kāi)關(guān)速度快、低通導(dǎo)電阻、電流流通能力強(qiáng)的特點(diǎn)。MOS管當(dāng)用作在電源開(kāi)關(guān)時(shí),是產(chǎn)品主要的熱源,需要靠外部散熱,是降低IC可靠性,導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定的罪魁禍?zhǔn)住S捎贛OS管的結(jié)點(diǎn)電容比較大,應(yīng)盡量零電壓開(kāi)通以達(dá)到減少損耗的目的。

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