在非易失性模式下，SRAM 數(shù)據(jù)將從 EEPROM 并行傳輸 / 回讀或并行傳輸 / 回讀到 EEPROM 內(nèi)。使用 SONOS（硅 - 氧化硅 - 氮化硅 - 氧化硅 - 硅）技術(shù)生產(chǎn) EEPROM 可以提供高產(chǎn)量，并且與浮柵加工技術(shù)相比，它需要的掩膜更少。SONOS 技術(shù)其他主要優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在：完善的設(shè)計(jì)和生產(chǎn)過(guò)程，帶有 CMOS 微邏輯的良好可積分性，并且低功耗。

用戶數(shù)據(jù)的寫入次數(shù)不受限制，因?yàn)閷⑦@些數(shù)據(jù)寫入到標(biāo)準(zhǔn) SRAM 內(nèi)。在產(chǎn)品的使用壽命期間，可以將 EEPROM 的存儲(chǔ)周期次數(shù)修改為 100 多萬(wàn)次。傳輸數(shù)據(jù)時(shí)不需要任何電池。當(dāng)將數(shù)據(jù)從 SRAM 傳輸?shù)?EEPROM 內(nèi)所需的電源由外部電容提供時(shí)，將自動(dòng)進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸。NV-SRAM 還與時(shí)鐘邏輯配合使用，用于創(chuàng)建非易失性 RTC 組件。

制造商:Infineon 產(chǎn)品種類:MOSFET RoHS: 詳細(xì)信息 技術(shù):Si 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PG-TO-252-3 晶體管極性:N-Channel 通道數(shù)量:1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓:600 V Id-連續(xù)漏極電流:6.8 A Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V Vgs th-柵源極閾值電壓:2.5 V Qg-柵極電荷:13 nC 最小工作溫度:- 40 C 最大工作溫度:+ 150 C Pd-功率耗散:61 W 通道模式:Enhancement 商標(biāo)名:CoolMOS 封裝:Cut Tape 封裝:MouseReel 封裝:Reel 配置:Single 高度:2.3 mm 長(zhǎng)度:6.5 mm 系列:CoolMOS CE 晶體管類型:1 N-Channel 寬度:6.22 mm 商標(biāo):Infineon Technologies 下降時(shí)間:13 ns 濕度敏感性:Yes 產(chǎn)品類型:MOSFET 上升時(shí)間:8 ns 工廠包裝數(shù)量:2500 子類別:MOSFETs 典型關(guān)閉延遲時(shí)間:60 ns 典型接通延遲時(shí)間:10 ns 零件號(hào)別名:IPD60R1K0CE SP001396896 單位重量:4 g

高熱穩(wěn)定性微功耗基準(zhǔn)電壓源TS824-1.2和TS824-2.5，目標(biāo)應(yīng)用在需要低功耗的以電池為能源的設(shè)備。TS824-1.2和TS824-2.5的溫度系數(shù)為55ppm/C，在容性負(fù)載和工業(yè)范圍溫度-40度 到 85度內(nèi)都很穩(wěn)定。

TS824-1.2的輸出電壓是1.225V, TS824-2.5的輸出電壓是2.5V,適合用在電源，以電池為能源的設(shè)備，計(jì)算機(jī)，儀表，數(shù)據(jù)采集和功率管理電路。TS824-1.2在25度的工作電流為45 uA ，TS824-2.5在25度的工作電流為60 uA。最高工作溫度時(shí)的工作電流，TS824-1.2 為12mA,TS824-2.5為15mA.

輸出電壓的精度，TS824-12為±1%，TS824-2。5為±0.5% 或±1%。兩種器件的封裝為SOT-23。